点式电镀三极管引线框架制造技术

技术编号:3226543 阅读:213 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
一种点式电镀三极管引线框架,包括由散热部、芯片部、小焊点、中间管脚、侧管脚构成的主体及覆盖在主体上的电镀层组成,所述的电镀层在引线框架上呈点状分布。因引线框架上还需电镀非铁磁金属层及用塑封料封装,且引线框架、电镀层、塑封料由不同的材料制作,材料的热物理性能、热膨胀系数都不相同,尤其电镀层与塑封料的结合力不理想。现采用点式电镀引线框架,仅在封装芯片和连接线处进行点状电镀,既满足封装要求又大面积减少了金属电镀层材料的消耗,降低了生产成本又减少了电镀时带来的有害物质排放污染,且增强了引线框架与塑封料的结合和密封强度。(*该技术在2016年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术涉及一种半导体分立器件,特别是一种制作三极管用的引线框架。
技术介绍
引线框架是制作生产半导体元件的基本部件,还需在其表面大部分地方电镀非铁磁金属层,再利用树脂塑封芯片固定成一整体的半导体元件。现有的TO-251引线框架如图3所示,根据装芯片和焊接连接线的需要,其电镀区域L覆盖了散热部1、芯片部2和小焊点3′的全部面积,电镀成本高。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是,提供一种点式电镀三极管引线框架,既在满足原有封装要求的同时,又增强引线框架与塑封料间的结合力和密封强度,并降低电镀成本和减少电镀排放时对环境的污染。本技术解决上述问题所采用的技术方案为点式电镀三极管引线框架,包括由散热部、芯片部、小焊点、中间管脚、侧管脚构成的主体及覆盖在主体上的电镀层组成,所述的电镀层在引线框架上呈点状分布。与现有技术相比,本技术的优点在于,因引线框架上还需电镀非铁磁金属层及用塑封料封装,且引线框架、电镀层、塑封料分别由不同的材料制作,各材料的热物理性能、热膨胀系数都不相同,尤其电镀层与塑封料的结合力不理想,与其这样干脆缩小电镀区域的范围,相对就增强了引线框架与塑封料的结合和密封强度,所以采本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种点式电镀三极管引线框架,包括由散热部(1)、芯片部(2)、小焊点(3′)、中间管脚(5)、侧管脚(4)构成的主体及覆盖在主体上的电镀层组成,其特征在于所述的电镀层在引线框架上呈点状分布。

【技术特征摘要】
1.一种点式电镀三极管引线框架,包括由散热部(1)、芯片部(2)、小焊点(3′)、中间管脚(5)、侧管脚(4)构成的主体及覆盖在主体上的电镀层组成,其特征在于所述的电镀层在引线框架上呈点状分布。2.根据权利要求1所述的点式电镀三极管引线框架,其特征在于在芯片部(2)上需要封装芯片位置处电镀,电镀层为方形电镀点(6),边长在1.8~2.2mm区域内。3.根据权利要求1所述的点式电镀三极管引线框架,其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员:冯小龙裘佩明马叶军
申请(专利权)人:宁波康强电子股份有限公司
类型:实用新型
国别省市:97[中国|宁波]

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