【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种半导体分立器件，特别是一种用于制作半导体元件的改进型大功率引线框架。
技术介绍
现有技术中TO-220-5L引线框架的结构如图4所示，引线框架的散热固定部、芯片部、中间管脚及4个侧管脚为一连续的整体结构，构成引线框架的各组成部分的形状简单、表面光滑。又因引线框架与塑封料所用材料特性的不同和热膨胀系数的差异，引线框架与芯片和塑封料间的结合力很差，使其密封强度大大降低，直接影响了半导体元件的性能、质量和使用寿命。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是，提供一种改进型大功率引线框架，既可增强引线框架与塑封料、芯片间的结合力和密封强度，又可延长其的使用寿命。本技术解决上述问题所采用的技术方案为改进型大功率引线框架由散热固定部、芯片部、中间管脚、侧管脚连接成一体构成，所述芯片部的两边缘阶梯面有缺口，芯片部上与芯片相对应位置上有由凹槽组成的边框，边框内又有由凹槽点经规则排列构成的凹点面。与现有技术相比，本技术的优点在于，现有的引线框架形状简单、表面光滑、线条单一，因此和塑封料结合力很差、密封强度低，现在引线框架芯片部边缘上增加半圆形的缺口，芯片部内与芯片相对应位置增加由凹槽组成的边框，便于塑封料的填充和镶嵌，这样就增强了引线框架和塑封件的结合力和密封性。边框内又有截面为梯形的凹槽点横纵均布、规则排列构成的凹点面，增加了引线框架与芯片的结合强度，有效地防止分层现象的出现。本改进型大功率引线框架使整个半导体元件的抗机械冲击、耐热疲劳强度提高，从而延长了使用寿命。附图说明图1、本技术的结构示意图。图2、图1的A-A剖面放大图。图2、图1的A-A剖面放大图。图...
【技术保护点】
一种改进型大功率引线框架，由散热固定部（１）、芯片部（７）、中间管脚（８）、侧管脚（９）、（１０）连接成一体构成，其特征在于所述芯片部（７）的两边缘阶梯面（２）上有缺口（３），芯片部（７）上与芯片相对应位置上有由凹槽（１１）组成的边框（４），边框（４）内又有由凹槽点（５）经规则排列构成的凹点面（６）。
【技术特征摘要】
1.一种改进型大功率引线框架，由散热固定部(1)、芯片部(7)、中间管脚(8)、侧管脚(9)、(10)连接成一体构成，其特征在于所述芯片部(7)的两边缘阶梯面(2)上有缺口(3)，芯片部(7)上与芯片相对应位置上有由凹槽(11)组成的边框(4)，边框(4)内又有由凹槽点(5)经规则排列构成的凹点面(6)。2.根据权利要求1所述的改进型大功率引线框架，其特征在于芯片部(7)的两边缘阶梯面(2)...
【专利技术属性】
技术研发人员：曹光伟，段华平，曹前龙，何宏伟，
申请(专利权)人：宁波康强电子股份有限公司，
类型：实用新型
国别省市：97[中国|宁波]
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