【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种半导体分立器件,特别是一种用于制作半导体元件的改进型三极管引线框架。
技术介绍
现有技术中TO-251引线框架的结构如图4所示,引线框架的散热部、芯片部、中间管脚及侧管脚为一连续的整体结构,构成引线框架的各组成部分的形状简单、表面光滑。又因引线框架与塑封料所用材料特性的不同和热膨胀系数的差异,引线框架与芯片和塑封料间的结合力很差,使其密封强度大大降低,直接影响了半导体元件的性能、质量和使用寿命。
技术实现思路
本技术所要解决的技术问题是,提供一种改进型三极管引线框架,既可增强引线框架与塑封料、芯片间的结合力和密封强度,又可延长其的使用寿命。本技术解决上述问题所采用的技术方案为改进型三极管引线框架由散热部、芯片部、中间管脚、侧管脚连接在一起构成,所述散热部和芯片部间的连接处颈部开有通孔,所述芯片部两边缘阶梯面上开有缺口,芯片部上与芯片相对应位置上有由横向、纵向的凹槽构成的网格。与现有技术相比,本技术的优点在于,现有的引线框架形状简单、表面光滑、线条单一,因此和塑封料结合力很差、密封强度低,现在引线框架封装芯片处的芯片部周边配合处,增加有腰形通孔,边缘上再增加半圆形缺口,便于塑封料的填充和镶嵌,这样就增强了引线框架和塑封件的结合力和密封性,另外又在芯片部上增加网格,增加了引线框架与芯片的结合强度,有效地防止分层现象的出现。因此改进型三极管引线框架使整个半导体元件的抗机械冲击、耐热疲劳强度提高,从而延长了使用寿命。附图说明图1、本技术的结构示意图。图2、图1的B-B剖面放大图。图3、图1的A-A剖面放大图。图4、现有技术结构示意图。具体实施方式以下结 ...
【技术保护点】
一种改进型三极管引线框架,由散热部(3)、芯片部(7)、中间管脚(8)、侧管脚(9)连接在一起构成,其特征在于所述散热部(3)和芯片部(7)间的连接处颈部开有通孔,所述芯片部(7)两边缘阶梯面(1)上还开有缺口(2),芯片部(7)上与芯片相对应位置上有由横向、纵向的凹槽(5)构成的网格(6)。
【技术特征摘要】
1.一种改进型三极管引线框架,由散热部(3)、芯片部(7)、中间管脚(8)、侧管脚(9)连接在一起构成,其特征在于所述散热部(3)和芯片部(7)间的连接处颈部开有通孔,所述芯片部(7)两边缘阶梯面(1)上还开有缺口(2),芯片部(7)上与芯片相对应位置上有由横向、纵向的凹槽(5)构成的网格(6)。2.根据权利要求1所述的改进型三极管引线框架,其特征在于散热部(3)、芯片部(7)间的连接处颈...
【专利技术属性】
技术研发人员:曹光伟,张春光,曹林坤,
申请(专利权)人:宁波康强电子股份有限公司,
类型:实用新型
国别省市:97[中国|宁波]
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