【技术实现步骤摘要】
一种基于模制成型制程的封装基板及其制造方法
[0001]本专利技术涉及电子器件封装结构，具体涉及一种基于模制成型制程的封装基板及其制造方法。
技术介绍
[0002]随着电子技术的发展与进步，电子产品朝着短小轻薄的方向演进，而电子产品的功能要求越来越强大，促进了电子产品的封装结构朝着高度集成化、小型化的方向发展，芯片等元器件嵌埋封装应运而生；与此同时电子元件的应用也朝着高频高速的方向发展，导致单位面积的热流密度迅速递增。众所周知，随着周围环境温度的上升，电子元件的性能和可靠性相对降低。如果不能及时将产生的热量散发，电子元器件持续升温会导致产品性能下降，日而久之，电子产品的可靠性也会受影响。因此如何合理优化嵌埋封装基板、封装体的设计，提升嵌埋封装结构的散热性能，是当前一个重要的课题。
[0003]嵌入式封装基板是指采用多步骤制造工艺将元器件嵌入到基板中。单芯片、多芯片或者无源元器件均可并排式嵌入到有机基质框架之中，芯片等元器件嵌入式封装已经兴起多年，目前仍是主流的嵌埋封装方式。但随着高频高速产品的兴起，嵌入式封装产品有极...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种基于模制成型制程的封装基板的制造方法，包括如下步骤：(a)准备临时承载板，并在所述临时承载板的至少一侧上制作导通铜柱层；(b)制造第一基板，所述第一基板包括支撑框架和基座以及在所述基座上的铜凸台，所述支撑框架和所述基座之间形成贯穿通孔；(c)在所述基座上贴装器件；(d)将所述临时承载板和所述第一基板同时装配固定于模具中，所述导通铜柱层位于所述贯穿通孔内，所述导通铜柱层的下端面与所述铜凸台的端面平齐或高出所述铜凸台的端面，施加封装层以塑封所述第一基板、所述器件以及所述导通铜柱层；(e)拆除所述模具；(f)移除所述临时承载板；(g)减薄所述封装层以暴露所述导通铜柱层的端部和所述铜凸台的端面；(h)形成器件端子开窗以暴露所述器件的端子；(i)在所述封装层的上下表面上分别形成第一线路层和第二线路层，所述第二线路层包括第二导通线路和散热线路，所述第一线路层和所述第二导通线路通过所述导通铜柱层导通连接，所述散热线路通过所述铜凸台和所述基座与所述器件的无效表面连接，所述第一线路层和所述器件的端子连接。2.根据权利要求1所述的制造方法，其中所述临时承载板包括至少一面覆有双层铜箔的覆铜板，其中所述覆铜板包括核心层、在所述核心层表面上的第一铜层和在所述第一铜层上的第二铜层，其中所述第一铜层和所述第二铜层通过物理压合附着在一起。3.根据权利要求1所述的制造方法，其中步骤(a)包括：(a1)在所述临时承载板的至少一侧上形成第一金属种子层；(a2)在所述第一金属种子层上施加第一光阻层，曝光显影形成第一特征图案；(a3)在所述第一特征图案中电镀形成导通铜柱层；(a4)移除所述第一光阻层。4.根据权利要求3所述的制造方法，其中步骤(a)还包括：(a0)在所述临时承载板的至少一侧上施加蚀刻阻挡层。5.根据权利要求4所述的制造方法，其中所述蚀刻阻挡层包括镍、钛或它们的组合。6.根据权利要求1所述的制造方法，其中步骤(b)包括：(b1)准备铜板；(b2)在所述铜板的上下表面分别施加第二光阻层和第三光阻层，曝光显影所述第二光阻层形成第二特征图案，整板曝光所述第三光阻层；(b3)在所述第二特征图案中减铜蚀刻形成所述基座的顶面，移除所述第二光阻层和所述第三光阻层；(b4)在所述铜板的上下表面分别施加第四光阻层和第五光阻层，整板曝光所述第四光阻层，曝光显影所述五光阻层形成第五特征图案；(b5)在所述第五特征图案中减铜蚀刻形成所述铜凸台，所述铜凸台位于所述基座的下表面上，移除所述第四光阻层和第五光阻层；(b6)在所述基座的两侧钻铣加工形成贯穿通孔和支撑框架，得第一基板。7.根据权利要求1所述的制造方法，其中步骤(b)包括：
(b1
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)准备铜板；(b2
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)在所述铜板的上下表面分别施加第二光阻层和第三光阻层，曝光显影所述第二光阻层形成第二特征图案，整板曝光所述第三光阻层；(b3
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)在所述第二特征图案中减铜蚀刻形成所述基座的顶面，移除所述第二光阻层和所述第三光阻层；(b4
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)在所述铜板的上下表面分别施加第四光阻层和第五光阻层，整板曝光所述第四光阻层，曝光显影所述五光阻层形成第五特征图案；(b5
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)在所述第五特征图案中减铜蚀刻形成所述铜凸台，所述铜凸台位于所述基座的下表面上，移除所述第四光...
【专利技术属性】
技术研发人员：陈先明，冯磊，黄本霞，洪业杰，
申请(专利权)人：珠海越亚半导体股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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