半导体器件的制造方法及其制造设备技术

一种半导体器件的制造方法及其制造设备，在其制造方法中，由于提供设计为圆形的散热铜片来进行散热，并且，将散热铜片的边缘设置有定位孔组，这样，当在芯片上下两面上分别覆盖散热铜片，并且在散热铜片与所述芯片的上表面和下表面之间均垫有预设焊片，就可以通过定位孔组内插入定位销的方式，快速将芯片限制在散热铜片的内部预设位置，减少人工操作，提高效率，降低生产成本。同时由于散热铜片的表面积大于芯片，除了能够更好的散热的同时还可以保护芯片不被磕碰，满足芯片防护以及可靠性的需求。求。求。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件的制造方法及其制造设备


[0001]本专利技术涉及半导体器件制造领域，具体涉及一种半导体器件的制造方法及其制造设备。

技术介绍

[0002]瞬态抑制二极管被广泛应用于半导体及敏感器件的保护，通常用于二级保护，用在气体放电管之后的二级保护，也可直接用于电路的一级保护。
[0003]作为基础的电路元件，二极管的市场需求量非常大，同时，随着市场的发展，半导体产品的应用领域朝着两个方向在发展，一种是越来越轻薄，这样子需要电路保护器件的体积越来越小，器件向小型化发展；同时，在一些领域，功能集成度越来越高，电路的功率越来越高，特别是在通讯领域及汽车领域，随着5G通讯基站及新能源汽车的发展，对大功率高可靠性的电路保护器件需求越来越多，对器件有高度可靠性及高浪涌吸收能力有双重需求。而TVS功率越来越大，产品的芯片尺寸相应就要增加，同时芯片面积增大，产品的抗封装应力能力及散热能力难度就越来越高，同时芯片面积及材料的增加也使到器件的生产效率下降，生产成本提高。
[0004]因此，需要提供一种半导体器件的制造方法使得能够满足对芯片防护、可靠本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：提供散热铜片，所述散热铜片设置为圆形，所述散热铜片边缘设置有定位孔组，所述定位孔组内能够穿进定位销；在芯片上下两面上分别覆盖所述散热铜片，并且在所述散热铜片与所述芯片的上表面和下表面之间均垫有预设焊片；所述定位销依次固定在上下两个散热铜片对应的定位孔组中，将芯片限定在所述散热铜片的预定位置，制成预焊接单元；将所述预焊接单元放入真空焊接炉中进行焊接，形成器件单元。2.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述定位孔组由四个相同的缺口构成，两两一组，在所述散热铜片的边缘对称分布，相邻的两个缺口之间限定所述芯片的一个夹角，对称的两组缺口与所述芯片的一个对角配合，形成限定作用。3.如权利要求1所述的制造方法，其特征在于，所述散热铜片边缘具有两组所述定位孔组，分别为第一定位孔组和第二定位孔组，所述第一定位孔组用于限定第一形状的芯片，所述第二定位孔组用于限定第二形状的芯片。4.如权利要求3所述的制造方法，其特征在于，所述第一定位孔组所在直线与所述第二定位孔组所在直线成十字，所述第一形状的芯片为正四边形芯片，所述第一定位孔组能够对所述第一形状的芯片的两个对角位置进行限定；所述第二形状的芯片为正六边形的芯片，所述第二定位孔组能够对所述第二形状的芯片的一个对称角位置进行限定。5.如权利要求4所述的制造方法，其特征在于，所述散热铜片直径为10mm，所述第一形状的芯片边长为6.7mm，所述第一定位孔组中的缺口直径为0.8mm，相邻两个缺口之间的距离为1.6mm；所述第二形状的芯片边长为8.2mm，所述第二定位孔组中的缺口直径为...

【专利技术属性】
技术研发人员：李晓锋，招景丰，
申请(专利权)人：浙江里阳半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：