一种半导体封装基板的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种半导体封装基板的制备方法，包括以下步骤：提供一核心板，于其表面形成金属层；在金属层上形成第一阻层，且于其中开设多个第一开口；于其中形成金属柱，并移除第一阻层；在金属柱上形成第二阻层，且于其中开设多个第二开口；于第二开口中形成第一线路层并移除第二阻层，且于第一线路层上形成介电层，在介电层中开设多个第三开口；在介电层上形成第三阻层，且于其中开设多个第四开口；于第三开口中形成第二线路层；移除核心板及金属层，并于金属柱上焊接芯片。通过将金属柱的材质由电镀焊锡改为镍金，从而提高了金属柱的结合性，提高了基板的生产良率和生产效率，大大降低了生产成本。降低了生产成本。降低了生产成本。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体封装基板的制备方法


[0001]本专利技术涉及了PCB板
，具体的是一种半导体封装基板的制备方法。

技术介绍

[0002]现有的封装基板制备过程中需先制备一核心基板，再于核心基板上形成介电层及线路层，此技术具有布线密度低，层数多，导线长且阻抗高的问题，对于高频基板较难应用；又因迭层数多，其制程步骤也较复杂；且在制备过程中形成的金属柱采用的材质是电镀焊锡，使得在形成金属柱的过程中，电镀焊锡与电镀铜的结合力不够，在后续基板的制备过程中受热易发生分离，大大降低了基板的成型良率，增加了生产成本，降低了生产效率。

技术实现思路

[0003]为了克服现有技术中的缺陷，本专利技术实施例提供了一种半导体封装基板的制备方法，其用于解决上述问题中的至少一种。
[0004]本申请实施例公开了一种半导体封装基板的制备方法，通过将金属柱的材质由电镀焊锡改为镍金，镍金与电镀铜的结合力更好，从而提高了金属柱的结合性，在后续基板制备过程中金属柱不会因受热产生分离，提高了基板的生产良率和生产效率，大大降低了生产成本。<br/>[0005]本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体封装基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一核心板，于所述核心板的表面形成金属层；在所述金属层上形成第一阻层，且于其中间隔开设多个第一开口，以使部分所述金属层显露出来；于所述第一开口中形成金属柱，并移除所述第一阻层，其中，所述金属柱的材质为镍金；在所述金属柱上形成第二阻层，且于其中间隔开设多个第二开口；于所述第二开口中形成第一线路层并移除所述第二阻层，且于所述第一线路层上形成介电层，在所述介电层中间隔开设多个第三开口，以露出部分所述第一线路层；在所述介电层上形成第三阻层，且于其中间隔开设多个第四开口，以露出所述第一线路层；于所述第三开口中形成第二线路层，以使所述第二线路层与所述第一线路层电性连接；移除所述核心板及所述金属层，以使所述金属柱显露出来，并于所述金属柱上焊接芯片。2.根据权利要求1所述的半导体封装基板的制备方法，其特征在于，在步骤“于所述核心板的表面形成金属层”前，包括于所述核心板的表面形成粘着层，并于所述粘着层上形成金属层。3.根据权利要求1所述的半导体封装基板的制备方法，其特征在于，所述第一开口位于所述金属层中的径宽大于其位于所述第一阻层中的径宽。4.根据权利要求1所述的半导体封装基板的制备方法，其特征在于，所述金属柱的制备方法具体包括以下步骤：于所述第一开口内的金属层上形成镍金；于所述镍金上形成电镀铜。5.根据权利要求1所述的半导体封装基板的制备方法，其特征在于，在步骤“在所述金属层上形成第二阻层”前，包括以下步骤：于所述金属层上形成第一防焊层，且所述第一防焊层的端面与所述金属柱的端面相齐平；于所述金属柱及所述第一防焊层...

【专利技术属性】
技术研发人员：盛会，许弘煜，方柏凯，
申请(专利权)人：苏州群策科技有限公司，
类型：发明
国别省市：