光刻双面薄膜的装置制造方法及图纸

技术编号:3225708 阅读:182 留言:0更新日期:2012-04-11 18:40
本实用新型专利技术属于半导体器件平面光刻工艺领域,特别是涉及用于双面光刻的工具制造技术领域。本实用新型专利技术为了保证制备双面膜的感光胶厚度的均匀性和避免对膜造成的机械损伤,从而提供一种由匀胶机片托和台阶型样品光刻架,通过光刻架两端的固定槽用螺钉把匀胶机片托与样品光刻架固定住的装置。本实用新型专利技术结构简单,使用方便,易于加工。利用本实用新型专利技术制备双面薄膜,其胶膜厚度均匀,同时可避免对双面膜的机械损伤。(*该技术在2006年保护过期,可自由使用*)

【技术实现步骤摘要】

本技术属于半导体器件平面光刻工艺领域,特别是涉及一种用于双面光刻的工具制造
以往单面膜的光刻工艺,不涉及保护另外一面的问题,因此它的光刻架结构仅有一个匀胶机片托,如附图说明图1光刻单面薄膜装置结构示意图所示。凭借片托上的吸片孔可将样品吸住,用以保证样品在跟随匀胶机片托高速旋转时不至脱落。样品放在匀胶机片托上,镀膜的一面向上,经过匀胶、坚膜、光刻、显影、腐蚀、去胶一系列过程,即可光刻成功。而光刻双面膜则不同,不但要保护好正反两面薄膜,而且必须保证坚膜均匀,这样才能保证两面同时进行一次性腐蚀与显影后光刻的质量。若按照以往光刻单面膜的方法光刻,将双面薄膜样品放在如图1所示的匀胶机片托上,则只能坚膜向上的一面薄膜,另一面向下的薄膜会由于吸片孔的吸气作用与匀胶机片托紧密接触而遭到破坏,这就更谈不到对第二面的保护作用。所以,以往的光刻单面薄膜方法对光刻双面薄膜来说很不适合,会造成极大的浪费。即使吸气作用对薄膜造成的破坏不大,我们先将一面匀胶坚膜保护起来后,再将样品翻转,将另一面匀胶、坚膜后光刻,这样虽然可保护两面薄膜,但由于不是同时坚膜,两面的感光胶膜的厚度和均匀性的控制又变得十分本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种由匀胶机片托1、样品光刻架2组成的光刻双面薄膜的装置,其特征在于:把样品光刻架2内圆做出一个台阶3,在样品光刻架2两端各开一个固定槽5,用螺钉及样品固定片4把带台阶的样品光刻架2与匀胶机片托1固定。

【技术特征摘要】
1.一种由匀胶机片托1、样品光刻架2组成的光刻双面薄膜的装置,其特征在于把样品光刻架2内圆做出一个台阶3,在样品光刻架2两端各开一个固定槽5,用螺钉...

【专利技术属性】
技术研发人员:何萌吕惠宾周岳亮陈正豪崔大复
申请(专利权)人:中国科学院物理研究所
类型:实用新型
国别省市:11[中国|北京]

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