【技术实现步骤摘要】
本技术涉及一种光刻工艺,特别涉及一种在陶瓷基片上下两面进行光刻的光刻结构。
技术介绍
现代微电子技术发展异常迅猛,特别是各种光电子器件逐渐在向微型化、大规模集成化、高效率、高可靠性等方向发展。但随着电子系统集成度的提高,其功率密度随之增力口,电子元件及系统整体工作产生热量上升、系统工作温度升高会引起半导体器件性能恶化、器件破坏、分层等,甚至会使封装的芯片烧毁,因此有效的电子封装必须解决电子系统的散热问题。电子封装所用的基片是一种底座电子元件,主要为电子元器件及其相互联线提供·机械承载支撑、气密性保护并可作为热沉过渡片给芯片散热。陶瓷基片具有耐高温、电绝缘性能高、介电常数和介质损耗低、热导率大、化学稳定性好、与元件的热膨胀系数相近等优点,并可对光电子器件起到较强的保护作用,因而在航空、航天和军事工程等领域都得到了非常广泛的应用。在芯片的封装过程中,通常需要在基片的表面进行金属化布线形成金属图形,以便连接电子元器件。随着电子器件向小型化、微型化的方向发展,陶瓷基片的上下表面通常都需要进行金属化布线。目前常用的方式就先先在陶瓷基片的上表面上进行金属化布线,然后再反转该 ...
【技术保护点】
一种陶瓷基片双面光刻结构,其特征在于:其包括一支撑框架,所述支撑框架的上端设有上掩模板,所述支撑框架的下端设有下掩模板,所述上掩模板的上方及所述下掩模板的下方各设有一曝光装置,所述上掩模板、下掩模板之间设有一陶瓷基片支撑架,所述陶瓷基片支撑架上设有陶瓷基片,所述上掩模板、陶瓷基片、下掩模板三者的中心位置上下对应。
【技术特征摘要】
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