一种用于超薄石英基片上光刻刻蚀双面薄膜电路图形的方法技术

本发明专利技术提出了一种用于超薄石英基片上光刻刻蚀双面薄膜电路图形的方法，使用高厚度、大平面尺寸的载片给予超薄石英基片双面光刻蚀时的粘接支撑作用，同时利用基片透明属性透过基片标记观测掩模标记实现双面对准，可以简单、方便地用于超薄石英基片上双面薄膜电路图形的光刻刻蚀操作，良品率大幅提升；在进行背面图形化工艺时，不需要增加额外的减薄、抛光、光刻设备及工艺，使用与单面电路光刻蚀一样的光刻机设备即可实现背面图形和正面图形的对准，能够大幅度的降低生产成本。

【技术实现步骤摘要】
—种用于超薄石英基片上光刻刻蚀双面薄膜电路图形的方法
本专利技术属于毫米波、亚毫米波集成电路制造
，特别涉及。
技术介绍
石英基片作为太赫兹频段部件普遍采用的电路基材，材料选择高纯度的各向同性熔融石英，原因在于在数百GHz频带内石英的介电常数较为稳定，损耗低于目前微波毫米波频段基板材料，其热和机械性能也较为稳定。石英基片上薄膜电路图形通常采用半导体集成电路工艺的大基片、多单元方式制备，加工精度可达微米级别，然而石英基片在高频应用的主要限制为基片厚度和精准的双面电路制作，也就决定了电路的损耗和电路设计的灵活性和准确性。选择厚度< 50 μ m的石英作为THz频段部件的薄基板材料，平面外形可为方形或圆形。由于厚度< 50 μπι的石英基片具有超薄、易碎等特点，再加上设计的超薄电路图形朝着小型化、高精度方向发展，图形具备以下特征:1)超薄石英微带片平面宽度已经小到100微米；2)超薄石英微带片电路图形最小线宽/线间距已达10微米或10微米以下，在超薄石英基片上制作具有精细线宽的单面薄膜电路图形难度很大，制作成轴对称的双面电路图形就变得异常困难。光刻、刻蚀工艺是本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种用于超薄石英基片上光刻刻蚀双面薄膜电路图形的方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤101：将超薄石英基片双面抛光并将其设置形成正反面金属薄膜；步骤102：通过超薄石英基片与载片临时键合并光刻刻蚀工艺在超薄石英基片金属化上表面形成薄膜电路图形和对准标记；步骤103：通过超薄石英基片与载片临时键合并光刻刻蚀工艺在超薄石英基片金属化下表面形成双面对准窗口；步骤104：利用基片透明属性将金属化上表面对准标记与掩膜版对准标记实现对准，通过超薄石英基片与载片临时键合并光刻刻蚀工艺在超薄石英基片金属化下表面形成对应的薄膜电路图形。

【技术特征摘要】
1.一种用于超薄石英基片上光刻刻蚀双面薄膜电路图形的方法，其特征在于，包括以下步骤: 步骤101:将超薄石英基片双面抛光并将其设置形成正反面金属薄膜； 步骤102:通过超薄石英基片与载片临时键合并光刻刻蚀工艺在超薄石英基片金属化上表面形成薄膜电路图形和对准标记； 步骤103:通过超薄石英基片与载片临时键合并光刻刻蚀工艺在超薄石英基片金属化下表面形成双面对准窗口； 步骤104:利用基片透明属性将金属化上表面对准标记与掩膜版对准标记实现对准，通过超薄石英基片与载片临时键合并光刻刻蚀工艺在超薄石英基片金属化下表面形成对应的薄膜电路图形。2.如权利要求1所述的用于超薄石英基片上光刻刻蚀双面薄膜电路图形的方法，其特征在于，所述步骤101中，所述超薄石英基片形状为圆形、长方形、正方形或不规则形状，厚度为30 μ m-50 μ m,平面尺寸为IOmmX 10mm-76mmX 76mm ;所述设置形成的正反面金属薄膜材料设置相同或不同。3.如权利要求1所述的用于超薄石英基片上光刻刻蚀双面薄膜电路图形的方法，其特征在于，所述步骤102、103和104中，所述超薄石英基片与载片临时键合并光刻刻蚀工艺，包括以下步骤: (a)、将超薄石英基片的待光刻蚀金属薄膜表面朝上，超薄石英基片的另一面与载片的抛光面通过光刻胶粘接形成一临时键合体； (b)、经过涂覆光刻胶、前烘、曝光、显影和后烘后，在超薄石英基片的待光刻蚀金属薄膜上形成抗蚀剂图形； (c)、将抗蚀剂图形通过湿法刻蚀或干法刻蚀后传递到待光刻蚀金属薄膜上； (d)、去除光刻胶，并将临时键合体分离，得到一形成当前薄膜电路图形的超薄石英基片。4.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：曹乾涛，王斌，宋振国，胡莹璐，孙建华，邓建钦，
申请(专利权)人：中国电子科技集团公司第四十一研究所，
类型：发明
国别省市：山东;37