有机膜技术与ITO薄膜技术共用掩膜板的方法技术

本发明专利技术公开了一种有机膜技术与ITO薄膜技术共用掩膜板的方法，包括以下步骤：(1)制作石英基板；(2)对基板进行负性有机膜涂布；(3)对基板进行曝光，曝光时确保半透膜区域不会在显影工艺中溶解；(4)对曝光后的基板进行显影，不透光区域的有机膜被除去；(5)对基板进行ITO沉积镀膜；(6)对基板进行正性光刻胶涂布、曝光；(7)对基板进行显影，铬膜和半透膜区域的光刻胶存在，其余区域的光刻胶被除去；(8)对基板进行蚀刻，形成ITO所需的图案。本发明专利技术的方法有效的节省了掩膜板的使用数量，也降低了曝光机的负荷，降低了生产成本。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种掩膜板使用方法，尤其涉及一种有机膜技术与ITO薄膜技术共用掩膜板的方法。
技术介绍
光刻胶主要使用在光刻工艺中，由于响应紫外线光的特性不同主要分为两类：正性光刻胶和负性光刻胶。光照后形成不可溶物质的为负性胶；反之，对某些溶剂不可溶，经过光照后形成可溶物质的为正性胶。目前，大多数薄膜晶体管(TFT)阵列基板制造过程中使用的有机膜与光刻胶均为正性，阵列基板制造过程中进行的曝光工艺均需要使用掩膜板(Mask)，每一次曝光需要一块掩膜板，而掩膜板价格昂贵，所以一个产品在购买掩膜板上需要花费大量资金。掩膜板的基本构造是在石英基板上沉积一层铬膜，铬膜镂空的地方形成需要的特定图形。铬膜不透光，镂空的地方可以透光。半曝光掩膜板中铬膜镂空的特定位置上有半透膜，半透膜可以透过部分光强。正常的掩膜板设计为一块掩膜板上设计一个图案形状(Pattern)。阵列基板制造过程中一般需要进行6-9次曝光，就需要6-9块掩膜板，极大的增加了产品的开发和生产成本。另外，曝光机的掩膜板容量小，增加掩膜板就增加了曝光机的负荷，同时闲置的掩膜板也需要进行维护，增加人力和物力成本。如何减少使用掩膜板的数量，降低成本是急需解决的行业难题。
技术实现思路
专利技术目的：针对以上问题，本专利技术提出一种有机膜技术与ITO薄膜技术共用掩膜板的方法。技术方案：为实现本专利技术的目的，本专利技术所采用的技术方案是：一种有机膜技术与ITO薄膜技术共用掩膜板的方法，包括以下步骤：(1)制作石英基板：石英基板上镀一层铬膜，镂空区域对应有机膜技术的过孔或空白区，半透膜区域对应ITO薄膜技术的图案；(2)对基板进行负性有机膜涂布；(3)对基板进行曝光，曝光时确保半透膜区域不会在显影工艺中溶解；(4)对曝光后的基板进行显影，不透光区域的有机膜被除去；(5)对基板进行ITO沉积镀膜；(6)对基板进行正性光刻胶涂布、曝光；(7)对基板进行显影，铬膜和半透膜区域的光刻胶存在，其余区域的光刻胶被除去；(8)对基板进行蚀刻，形成ITO所需的图案。使用正性有机膜和负性光刻胶也可以实现有机膜技术与ITO薄膜技术共用掩膜板的设计。有益效果：本专利技术的方法通过正负性有机膜和光刻胶的交叉使用，实现了有机膜技术与ITO薄膜技术中掩膜板的共用，节省掩膜板的使用数量，也降低了曝光机的负荷，降低了生产成本。附图说明图1是使用负性有机膜和正性光刻胶的石英基板示意图；图2是使用正性有机膜和负性光刻胶的石英基板示意图。具体实施方式下面结合附图和实施例对本专利技术的技术方案作进一步的说明。本专利技术所述的有机膜技术与ITO薄膜技术共用掩膜板的方法，在一块掩膜板上设计两种图案形状，以及设计掩膜板半透膜，通过正负性有机膜和正负性光刻胶的交叉使用，实现了有机膜技术与ITO薄膜技术共用一块掩膜板，从而节省了一块掩膜板，同时降低了曝光机的负荷。同时本专利技术也没有增加工艺流程和工艺难度，可以与现有工艺很好的匹配。本专利技术适用于有机膜技术和ITO薄膜技术的各种显示模式，下面以负性有机膜和正性光刻胶的设计方法为例，说明有机膜技术与ITO薄膜技术共用掩膜板的设计方法。如图1所示，石英基板上镀一层铬膜，镂空的位置对应有机膜技术的过孔或空白区，半透膜对应ITO薄膜技术的图案。有机膜技术与ITO薄膜技术共用掩膜板的方法包括如下详细步骤：1.制作如图1所示的符合设计要求的石英基板；2.对基板进行有机膜技术需要的负性有机膜涂布；3.对基板进行曝光，曝光时确保半透膜区域不会在显影工艺中溶解；4.对曝光后的基板进行显影，由于采用的是负性有机膜，显影时，铬膜上不透光区域的有机膜就会被除去；5.对基板进行ITO薄膜技术需要的沉积镀膜；6.对基板进行正性光刻胶的涂布和曝光；7.对基板进行显影，铬膜和半透膜挡住的地方，光刻胶存在，其余地方的光刻胶被除去；8.对基板进行蚀刻，形成ITO所需的图案。使用正性有机膜和负性光刻胶也可以实现有机膜技术与ITO薄膜技术共用掩膜板的设计，其使用的基板如图2所示，方法类似，不再赘述。本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种有机膜技术与ITO薄膜技术共用掩膜板的方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)制作石英基板：石英基板上镀一层铬膜，镂空区域对应有机膜技术的过孔或空白区，半透膜区域对应ITO薄膜技术的图案；(2)对基板进行负性有机膜涂布；(3)对基板进行曝光，曝光时确保半透膜区域不会在显影工艺中溶解；(4)对曝光后的基板进行显影，不透光区域的有机膜被除去；(5)对基板进行ITO沉积镀膜；(6)对基板进行正性光刻胶涂布、曝光；(7)对基板进行显影，铬膜和半透膜区域的光刻胶存在，其余区域的光刻胶被除去；(8)对基板进行蚀刻，形成ITO所需的图案。

【技术特征摘要】
1.一种有机膜技术与ITO薄膜技术共用掩膜板的方法，其特征在于：包括以下步骤：(1)制作石英基板：石英基板上镀一层铬膜，镂空区域对应有机膜技术的过孔或空白区，半透膜区域对应ITO薄膜技术的图案；(2)对基板进行负性有机膜涂布；(3)对基板进行曝光，曝光时确保半透膜区域不会在显影工艺中溶解；(4)对曝光后的基板进行显影，不透光区...

【专利技术属性】
技术研发人员：闵苏，
申请(专利权)人：南京华东电子信息科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32