一种薄膜晶体管的栅极断线修补方法技术

本发明专利技术公开了一种薄膜晶体管的栅极断线修补方法，该方法包括以下步骤：(1)在薄膜晶体管的栅极断线处的两端定位两个点；(2)在定位到的两个点上，分别采用激光穿透该点的刻蚀阻挡层和栅绝缘层进行打孔，当孔到达栅极所在层时停止，形成孔1和孔2；(3)采用激光化学气相沉积法从孔1的位置开始沿薄膜晶体管的外表面注膜，到达孔2的位置时停止，在两孔之间形成一层注膜层，从而使孔1和孔2电气连接。本发明专利技术可以实现跨层的栅极断线修补。

A method for repairing thin film transistor gate broken line

The invention discloses a method for repairing a broken gate thin film transistor, the method comprises the following steps: (1) both ends positioned in the gate at the disconnection of the thin film transistor is two points; (2) two points in the mapped, respectively by laser point through the etch stop layer and the gate insulating. When arrived at the gate, where the stop hole layer, forming hole 1 and hole 2; (3) by laser chemical vapor deposition from hole 1 position at outer surface of casting along the thin film transistor, to stop the hole of the 2 position, the formation of a layer of injection film layer between the two holes, so that hole 1 and hole 2 electrical connection. The invention can realize the cross layer grid broken line repair.

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及薄膜晶体管的故障处理方法，尤其涉及一种薄膜晶体管的栅极外围配线的断线修补方法。
技术介绍
薄膜晶体管结构如图1所示，从底部向上依次设置衬底、栅极(Gate)、栅绝缘(GI)层、刻蚀阻挡(ES)层、以及设置在刻蚀阻挡层上的源极(Source)和漏极(Drain)。标准的薄膜晶体管的外围如图2所示，但是在实际生产中，由于技术人员修补错误、前程漏检以及后站造成等原因，可能会造成栅极断线，如图3所示。通过统计模组近一个半月55寸的源极和栅极的端子断线不良率约3％，如图4所示。现有的断线修正装置(LaserCVDRepairEquipment，RVD)只能在当层修补，无法跨层别修补---即源极层无法修栅极层的断线。若断线无法修正，则会导致小片panel报废，造成较大浪费，问题亟待解决。
技术实现思路
一种薄膜晶体管的栅极断线修补方法，其特征在于该方法包括以下步骤：(1)在薄膜晶体管的栅极断线处的两端定位两个点；(2)在定位到的两个点上，分别采用激光穿透该点的刻蚀阻挡层和栅绝缘层进行打孔，当孔到达栅极所在层时停止，形成孔1和孔2；(3)采用激光化学气相沉积法从孔1的位置开始沿薄膜晶体本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管的栅极断线修补方法，其特征在于该方法包括以下步骤：(1)在薄膜晶体管的栅极断线处的两端定位两个点；(2)在定位到的两个点上，分别采用激光穿透该点的刻蚀阻挡层和栅绝缘层进行打孔，当孔到达栅极所在层时停止，形成孔1和孔2；(3)采用激光化学气相沉积法从孔1的位置开始沿薄膜晶体管的外表面注膜，到达孔2的位置时停止，在两孔之间形成一层注膜层，从而使孔1和孔2电气连接。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜晶体管的栅极断线修补方法，其特征在于该方法包括以下步骤：(1)在薄膜晶体管的栅极断线处的两端定位两个点；(2)在定位到的两个点上，分别采用激光穿透该点的刻蚀阻挡层和栅绝缘层进行打孔，当孔到达栅极所在层时停止，形成孔1和孔2；(3)采用激光化学气相沉积法从孔1的位置开始沿薄膜晶体管的外表面注膜...

【专利技术属性】
技术研发人员：王子路，王春宝，孟卫，赵一静，
申请(专利权)人：南京华东电子信息科技股份有限公司，南京中电熊猫平板显示科技有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏;32