双面ITO薄膜的光刻方法技术

本发明专利技术公开了一种双面ITO薄膜的光刻方法，通过将曝光机上的F面掩膜版和B面掩膜版的对位Mark分别转化为第一ITO玻璃基板的F面ITO玻璃图的对位Mark和第二ITO玻璃基板的B面ITO玻璃图的对位Mark，并利用第一ITO玻璃基板的F面ITO玻璃图的对位Mark和第二ITO玻璃基板的B面ITO玻璃图的对位Mark来解决实现形成双面ITO薄膜片材上F面ITO图形和B面ITO图形的对位问题，从而在ITO FILM的B面涂布了感光胶导致CCD无法精确捕捉不到ITO FILM的F面的对位Mark的情况下，能够保证ITO FILM的F面、B面这两面的ITO FILM光刻图形mark的位置偏差小于0.2mm，提高曝光精度。

Photoetching method for two-sided ITO film

The invention discloses a double-sided ITO thin film lithography method, by exposure Mark F on the surface of the mask and B mask were transformed into the first ITO glass substrate surface F ITO glass figure para Mark and second ITO glass substrate surface ITO B para Mark glass figure. Based on the first Mark and ITO glass substrate surface F ITO glass figure para Mark and second ITO glass substrate B ITO glass surface map to realize the problem of F surface forming para ITO graphics and B graphics ITO double-sided ITO thin film material, resulting in the ITO FILM B surface coated photographic guide CCD cannot accurately capture ITO FILM F the para Mark, can guarantee the position deviation of the ITO FILM F plane and B plane are both sides of the ITO FILM lithography mark less than 0.2mm, to improve the accuracy of exposure.

【技术实现步骤摘要】
双面ITO薄膜的光刻方法
本专利技术涉及液晶面板的生产
，尤其涉及一种双面ITO薄膜的光刻方法。
技术介绍
掺锡的氧化锢(IndiumTinOxide，ITO)薄膜作为一种用半导体材料制备而成的透明导电薄膜，具有高电导率、高可见光透过率(大于90％)、抗擦伤等众多优良的物理性能，以及良好的化学稳定性和一些其他的半导体特性，容易制备成电极图形，己经被广泛地应用于太阳能电池、固态平板显示器件(包括LCD,OLED,FED,PDP)等许多方面。在这些应用中，需要将ITO制成特定的图形来充当触摸屏透明电极。本专利技术人在实施本专利技术时发现，在传统的触摸屏的双面ITO薄膜(ITOFILM)的光刻工艺中，在将ITOFILM的第一面(F面)朝上贴附于玻璃基板上通过预定图形工艺蚀刻成图形产品后，在进行第二面(B面)ITOFILM光刻图形时需要将其从玻璃基板上取下，再次将ITOFILM的B面朝上贴附于玻璃基板上，这时需要考虑ITOFILM的F面的对位Mark如何和曝光机上的B面掩膜版(MASK)的对位Mark保持一致，由于ITOFILM的B面涂布了感光胶，无论是低端无CCD对位功能的曝光机还是高端全自动对位的曝光机均无法正常对位生产，CCD无法精确捕捉不到ITOFILM的F面的对位Mark，从而导致ITOFILM的F面、B面这两面的ITOFILM光刻图形mark的位置偏差较大，因此曝光精度不高，从而影响产品品质及降低生产效率。
技术实现思路
本专利技术实施例的目的是提供一种双面ITO薄膜的光刻方法，能有效解决现有技术中存在的ITOFILM的F面、B面这两面的ITOFILM光刻图形mark的位置偏差较大的问题，既可以保证产品品质，又可以提高生产效率。为实现上述目的，本专利技术实施例提供了一种双面ITO薄膜的光刻方法，包括步骤：提供第一ITO玻璃基板和第二ITO玻璃基板，利用装有F面掩膜版和B面掩膜版的的曝光机分别对所述第一ITO玻璃基板和第二ITO玻璃基板进行曝光，从而在所述第一ITO玻璃基板上形成F面ITO玻璃图形以及在所述第二ITO玻璃基板形成B面ITO玻璃图形；提供一双面ITO薄膜片材，通过若干粘贴层将所述双面ITO薄膜片材以第一面朝外的方式固定在所述第一ITO玻璃基板上，并使所述双面ITO薄膜片材的第一面的中心与所述F面ITO玻璃图形的中心对齐；在所述双面ITO薄膜片材的第一面涂上感光胶，采用装有F面掩膜版的曝光机对所述双面ITO薄膜片材的第一面进行曝光，并对曝光完成后的所述双面ITO薄膜片材的第一面进行显影、蚀刻后，得到F面ITO图形；将得到F面ITO图形的所述双面ITO薄膜片材从所述玻璃基板上取下，通过若干粘贴层将所述双面ITO薄膜片材以第二面朝外的方式固定在所述第二ITO玻璃基板上，并使所述双面ITO薄膜片材的F面ITO图形的对位Mark与所述B面ITO玻璃图形的对位Mark对齐；在所述双面ITO薄膜片材的第二面涂上感光胶，采用装有B面掩膜版的曝光机对所述双面ITO薄膜片材的第二面进行曝光，并对曝光完成后的所述双面ITO薄膜片材的第二面进行显影、蚀刻后，得到B面ITO图形。作为上述方案的改进，所述粘贴层为双面胶、水溶性胶黏层或紫外线胶水层。作为上述方案的改进，所述粘贴层为四个，且均匀分布。作为上述方案的改进，在还包括步骤：在将所述双面ITO薄膜片材以第一面朝外的方式固定在所述第一ITO玻璃基板上前，在所述双面ITO薄膜片材的第二面上涂布感光胶；或/和得到F面ITO图形后，在所述双面ITO薄膜片材的F面ITO图形上涂布感光胶。作为上述方案的改进，还包括步骤：在所述双面ITO薄膜片材的第一面涂上感光胶前，先将固定在所述第一ITO玻璃基板上的所述双面ITO薄膜片材进行电阻結晶处理后进行前清洗；或/和在所述双面ITO薄膜片材的第二面涂上感光胶前，先将固定在所述第二ITO玻璃基板上的所述双面ITO薄膜片材进行电阻結晶处理后进行前清洗。作为上述方案的改进，所述粘贴层采用耐150度高溫、耐酸、耐碱的材料构成；所述电阻结晶处理的条件为150度恒溫90分鐘。作为上述方案的改进，还包括步骤：在所述双面ITO薄膜片材的第一面涂上感光胶后，采用装有F面掩膜版的曝光机对所述双面ITO薄膜片材的第一面进行曝光前，将所述第一ITO玻璃基板上的所述双面ITO薄膜片材送入箱式焗炉对感光胶进行固化；或/和在所述双面ITO薄膜片材的第二面涂上感光胶后，采用装有B面掩膜版的曝光机对所述双面ITO薄膜片材的第二面进行曝光前，将所述第二ITO玻璃基板上的所述双面ITO薄膜片材送入箱式焗炉对感光胶进行固化。作为上述方案的改进，还包括步骤：将所述第一ITO玻璃基板上的所述双面ITO薄膜片材送入箱式焗炉对感光胶进行固化前，利用风枪将所述第一ITO玻璃基板和双面ITO薄膜片材之间的水汽吹干；或/和将所述第二ITO玻璃基板上的所述双面ITO薄膜片材送入箱式焗炉对感光胶进行固化前，利用风枪将所述第二ITO玻璃基板和双面ITO薄膜片材之间的水汽吹干。作为上述方案的改进，所述前清洗采用中性AJC类清洗剂。作为上述方案的改进，在CCD下通过人工对位贴合将所述双面ITO薄膜片材的F面ITO图形的对位Mark与所述B面ITO玻璃图形的对位Mark对齐。与现有技术相比，本专利技术公开的双面ITO薄膜的光刻方法通过预先利用装有F面掩膜版和B面掩膜版的的曝光机分别对第一ITO玻璃基板和第二ITO玻璃基板进行曝光，从而在所述第一ITO玻璃基板上形成F面ITO玻璃图形以及在所述第二ITO玻璃基板形成B面ITO玻璃图形，先利用所述第一ITO玻璃基板上形成的F面ITO玻璃图对待光刻的双面ITO薄膜片材进行第一面(F面)的光刻，即：通过若干粘贴层将所述双面ITO薄膜片材以第一面朝外的方式固定在所述第一ITO玻璃基板上，并使所述双面ITO薄膜片材的第一面的中心与所述F面ITO玻璃图形的中心对齐；在所述双面ITO薄膜片材的第一面涂上感光胶，采用装有F面掩膜版的曝光机对所述双面ITO薄膜片材的第一面进行曝光，并对曝光完成后的所述双面ITO薄膜片材的第一面进行显影、蚀刻后，得到F面ITO图形；然后将得到F面ITO图形的所述双面ITO薄膜片材从所述玻璃基板上取下，通过若干粘贴层将所述双面ITO薄膜片材以第二面朝外的方式固定在所述第二ITO玻璃基板上，并使所述双面ITO薄膜片材的F面ITO图形的对位Mark与所述B面ITO玻璃图形的对位Mark对齐；在所述双面ITO薄膜片材的第二面涂上感光胶，采用装有B面掩膜版的曝光机对所述双面ITO薄膜片材的第二面进行曝光，并对曝光完成后的所述双面ITO薄膜片材的第二面进行显影、蚀刻后，得到B面ITO图形。因此，本专利技术通过将曝光机上的F面掩膜版和B面掩膜版的对位Mark分别转化为第一ITO玻璃基板的F面ITO玻璃图的对位Mark和第二ITO玻璃基板的B面ITO玻璃图的对位Mark，并利用第一ITO玻璃基板的F面ITO玻璃图的对位Mark和第二ITO玻璃基板的B面ITO玻璃图的对位Mark来解决实现形成双面ITO薄膜片材上F面ITO图形和B面ITO图形的对位问题，从而在ITOFILM的B面涂布了感光胶导致CCD无法精确捕捉不到ITOFILM的F面的对位Mark的情况下，依本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种双面ITO薄膜的光刻方法，其特征在于，包括步骤：提供第一ITO玻璃基板和第二ITO玻璃基板，利用装有F面掩膜版和B面掩膜版的的曝光机分别对所述第一ITO玻璃基板和第二ITO玻璃基板进行曝光，从而在所述第一ITO玻璃基板上形成F面ITO玻璃图形以及在所述第二ITO玻璃基板形成B面ITO玻璃图形；提供一双面ITO薄膜片材，通过若干粘贴层将所述双面ITO薄膜片材以第一面朝外的方式固定在所述第一ITO玻璃基板上，并使所述双面ITO薄膜片材的第一面的中心与所述F面ITO玻璃图形的中心对齐；在所述双面ITO薄膜片材的第一面涂上感光胶，采用装有F面掩膜版的曝光机对所述双面ITO薄膜片材的第一面进行曝光，并对曝光完成后的所述双面ITO薄膜片材的第一面进行显影、蚀刻后，得到F面ITO图形；将得到F面ITO图形的所述双面ITO薄膜片材从所述玻璃基板上取下，通过若干粘贴层将所述双面ITO薄膜片材以第二面朝外的方式固定在所述第二ITO玻璃基板上，并使所述双面ITO薄膜片材的F面ITO图形的对位Mark与所述B面ITO玻璃图形的对位Mark对齐；在所述双面ITO薄膜片材的第二面涂上感光胶，采用装有B面掩膜版的曝光机对所述双面ITO薄膜片材的第二面进行曝光，并对曝光完成后的所述双面ITO薄膜片材的第二面进行显影、蚀刻后，得到B面ITO图形。...

【技术特征摘要】
1.一种双面ITO薄膜的光刻方法，其特征在于，包括步骤：提供第一ITO玻璃基板和第二ITO玻璃基板，利用装有F面掩膜版和B面掩膜版的的曝光机分别对所述第一ITO玻璃基板和第二ITO玻璃基板进行曝光，从而在所述第一ITO玻璃基板上形成F面ITO玻璃图形以及在所述第二ITO玻璃基板形成B面ITO玻璃图形；提供一双面ITO薄膜片材，通过若干粘贴层将所述双面ITO薄膜片材以第一面朝外的方式固定在所述第一ITO玻璃基板上，并使所述双面ITO薄膜片材的第一面的中心与所述F面ITO玻璃图形的中心对齐；在所述双面ITO薄膜片材的第一面涂上感光胶，采用装有F面掩膜版的曝光机对所述双面ITO薄膜片材的第一面进行曝光，并对曝光完成后的所述双面ITO薄膜片材的第一面进行显影、蚀刻后，得到F面ITO图形；将得到F面ITO图形的所述双面ITO薄膜片材从所述玻璃基板上取下，通过若干粘贴层将所述双面ITO薄膜片材以第二面朝外的方式固定在所述第二ITO玻璃基板上，并使所述双面ITO薄膜片材的F面ITO图形的对位Mark与所述B面ITO玻璃图形的对位Mark对齐；在所述双面ITO薄膜片材的第二面涂上感光胶，采用装有B面掩膜版的曝光机对所述双面ITO薄膜片材的第二面进行曝光，并对曝光完成后的所述双面ITO薄膜片材的第二面进行显影、蚀刻后，得到B面ITO图形。2.如权利要求1所述的双面ITO薄膜的光刻方法，其特征在于：所述粘贴层为双面胶、水溶性胶黏层或紫外线胶水层。3.如权利要求1所述的双面ITO薄膜的光刻方法，其特征在于：所述粘贴层为四个，且均匀分布。4.如权利要求1所述的双面ITO薄膜的光刻方法，其特征在于，在还包括步骤：在将所述双面ITO薄膜片材以第一面朝外的方式固定在所述第一ITO玻璃基板上前，在所述双面ITO薄膜片材的第二面上涂布感光胶；或/和得到F面ITO图形后，在所述双面ITO薄膜片材的F面ITO图形上涂布感光胶。5.如权...

【专利技术属性】
技术研发人员：王浩，崔旭光，趙漢華，王艳卿，
申请(专利权)人：精电河源显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44