本发明专利技术提供一种OGS触摸屏用ITO薄膜生产方法，避免制程过程中膜结构的破坏，及不同温度处理对导电层电性的影响，以使高分子材料表面溅镀的导电层电性稳定。一种OGS触摸屏用ITO薄膜生产方法，包括以下步骤：（1）低温溅镀：在高分子材料的基板表面上低温溅镀ITO薄膜层，溅镀温度为室温~150℃；（2）退火：将上述溅镀好的基板在退火设备中进行退火，退火温度为180℃~250℃，退火处理时间为15-50分钟。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及ITO薄膜生产方法，具体涉及一种OGS触摸屏用ITO薄膜生产方法。
技术介绍
以高分子材料表面为基底溅镀的ITO薄膜，在ITO薄膜制备或热处理过程中的加温容易对高分子材料衬底造成破坏，进而破坏薄膜的性能。退火对薄膜的微结构和化学组分具有重要的影响。退火处理可以使ITO薄膜更加稳定、降低薄膜的电阻率，提高薄膜透过率、减小薄膜内应力及增大薄膜附着力等。ITO膜的光学性能和电学性能强烈的依赖于它的微结构，而薄膜的微结构又和制备工艺密切相关。为了避免上述问题以及优化制备工艺，本专利技术提出在低温条件下制备ITO薄膜，并采用低成本的大气环境退火处理，以达到使ITO薄膜更加稳定，降低电阻率的工艺技术。
技术实现思路
本专利技术目的是提供一种OGS触摸屏用ITO薄膜生产方法，避免制程过程中膜结构的破坏，及不同温度处理对导电层电性的影响，以使高分子材料表面溅镀的导电层电性稳定。为了实现上述目的，本专利技术采用技术方案如下: 一种OGS触摸屏用ITO薄膜生产方法，包括以下步骤: (O低温溅镀:在高分子材料的基板表面上低温溅镀ITO薄膜层，溅镀温度为室温?150。。； (2)退火:将上述溅镀好的基板在退火设备中进行退火，退火温度为180°C ~250°C，退火处理时间为15-50分钟。进一步地，退火过程包括:大气环境下将基板以5_20°C /min从室温升温到180°c ~250°C的高温，在高温下保温15-50分钟，以自然冷却降温到室温。更进一步地，退火设备为IR炉或烤箱。本专利技术的有益效果: 采用本专利技术方法，通过退火处理使ITO薄膜层进行结晶重构，使高分子材料表面溅镀的ITO薄膜层电性稳定，降低电阻率。【具体实施方式】下面对本专利技术做进一步清楚、完整地描述，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。实施例1 一种OGS触摸屏用ITO薄膜生产方法，包括以下步骤: (I)低温溅镀:在高分子材料的基板表面上低温溅镀ITO薄膜层，溅镀温度为室温 ?150。。； (2)退火:将上述溅镀好的基板在退火设备中进行退火，退火温度为180°C ~250°C，退火处理时间为15-50分钟。本实施例中，退火设备为IR炉或烤箱，退火过程包括:大气环境下将基板以5-200C /min从室温升温到180°C ~200°C的高温，在高温下保温35-50分钟，以自然冷却降温到室温。经试验测得该OGS触摸屏用ITO薄膜的电阻率为2.15*10-4 Ω.cm,载流子浓度(1021cm-3)和电子迁移率(15~45cm2V-ls-l)，表明该方法制得ITO薄膜导电性能良好。实施例2 一种OGS触摸屏用ITO薄膜生产方法，包括以下步骤: (O低温溅镀:在高分子材料的基板表面上低温溅镀ITO薄膜层，溅镀温度为室温?150。。； (2)退火:将上述溅镀好的基板在退火设备中进行退火，退火温度为180°C ~250°C，退火处理时间为15-50分钟。本实施例中，退火设备为IR炉或烤箱，退火过程包括:大气环境下将基板以5-200C /min从室温升温到200°C ~230°C的高温，在高温下保温25-40分钟，以自然冷却降温到室温。实施例3 一种OGS触摸屏用ITO薄膜生产方法，包括以下步骤: (O低温溅镀:在高分子材料的基板表面上低温溅镀ITO薄膜层，溅镀温度为室温?150。。； (2)退火:将上述溅镀好的基板在退火设备中进行退火，退火温度为180°C ~250°C，退火处理时间为15-50分钟。本实施例中，退火设备为IR炉或烤箱，退火过程包括:大气环境下将基板以5-200C /min从室温升温到230°C ~250°C的高温，在高温下保温15-30分钟，以自然冷却降温到室温。以上仅描述了本专利技术的基本原理和优选实施方式，本领域人员可以根据上述描述作出许多变化和改进，这些变化和改进应该属于本专利技术的保护范围。【主权项】1.一种OGS触摸屏用ITO薄膜生产方法，其特征在于，包括以下步骤: (O低温溅镀:在高分子材料的基板表面上低温溅镀ITO薄膜层，溅镀温度为室温?150。。； (2)退火:将上述溅镀好的基板在退火设备中进行退火，退火温度为180°C ~250°C，退火处理时间为15-50分钟。2.根据权利要求1所述OGS触摸屏用ITO薄膜生产方法，其特征在于:退火过程包括:大气环境下将基板以5-20°C /min从室温升温到180°C ~250°C的高温，在高温下保温15-50分钟，以自然冷却降温到室温。3.根据权利要求1或2所述OGS触摸屏用ITO薄膜生产方法，其特征在于:退火设备为IR炉或烤箱。【专利摘要】本专利技术提供一种OGS触摸屏用ITO薄膜生产方法，避免制程过程中膜结构的破坏，及不同温度处理对导电层电性的影响，以使高分子材料表面溅镀的导电层电性稳定。一种OGS触摸屏用ITO薄膜生产方法，包括以下步骤：（1）低温溅镀：在高分子材料的基板表面上低温溅镀ITO薄膜层，溅镀温度为室温~150℃；（2）退火：将上述溅镀好的基板在退火设备中进行退火，退火温度为180℃~250℃，退火处理时间为15-50分钟。【IPC分类】C23C14/58, C23C14/34, C23C14/08【公开号】CN104928623【申请号】CN201410769648【专利技术人】杨忙, 沈效龙, 张国强, 黄永振 【申请人】山东华芯富创电子科技有限公司【公开日】2015年9月23日【申请日】2014年12月15日本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种OGS触摸屏用ITO薄膜生产方法，其特征在于，包括以下步骤：（1）低温溅镀：在高分子材料的基板表面上低温溅镀ITO薄膜层，溅镀温度为室温~150℃；（2）退火：将上述溅镀好的基板在退火设备中进行退火，退火温度为180℃~250℃，退火处理时间为15‑50分钟。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：杨忙，沈效龙，张国强，黄永振，
申请(专利权)人：山东华芯富创电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：山东;37
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