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本发明提出了一种用于超薄石英基片上光刻刻蚀双面薄膜电路图形的方法,使用高厚度、大平面尺寸的载片给予超薄石英基片双面光刻蚀时的粘接支撑作用,同时利用基片透明属性透过基片标记观测掩模标记实现双面对准,可以简单、方便地用于超薄石英基片上双面薄膜电...该专利属于中国电子科技集团公司第四十一研究所所有,仅供学习研究参考,未经过中国电子科技集团公司第四十一研究所授权不得商用。
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本发明提出了一种用于超薄石英基片上光刻刻蚀双面薄膜电路图形的方法,使用高厚度、大平面尺寸的载片给予超薄石英基片双面光刻蚀时的粘接支撑作用,同时利用基片透明属性透过基片标记观测掩模标记实现双面对准,可以简单、方便地用于超薄石英基片上双面薄膜电...