一种半导体电路P+外延图形的转移对准光刻方法技术

本发明专利技术涉及一种半导体电路P+外延图形的转移对准光刻方法，包括以下步骤：(1)在双面光刻机对硅片正面用Ⅰ号掩膜版光刻电路图形及对准标记a；(2)将正面光刻的图形中进行砷注入，形成N＋图形及对准标记a；(3)用Ⅱ号掩膜版在硅片1的背面光刻对准标记b；（4）在硅片正面生长P-外延层；（5）将硅片1背面的对准标记b与Ⅲ号掩膜版对准标记对准，用Ⅲ号掩膜版在P-外延层上光刻电路图形。本发明专利技术的优点在于：通过将硅片正面对准符号转移到背面的技术，以背面对准符号作为前步图形套刻的参考点，解决P+埋层外延图形漂移的对准问题，套刻精度能达到2.5?m。

【技术实现步骤摘要】
【专利摘要】本专利技术涉及一种半导体电路P+外延图形的转移对准光刻方法，包括以下步骤：(1)在双面光刻机对硅片正面用Ⅰ号掩膜版光刻电路图形及对准标记a；(2)将正面光刻的图形中进行砷注入，形成N＋图形及对准标记a；(3)用Ⅱ号掩膜版在硅片1的背面光刻对准标记b；（4）在硅片正面生长P-外延层；（5）将硅片1背面的对准标记b与Ⅲ号掩膜版对准标记对准，用Ⅲ号掩膜版在P-外延层上光刻电路图形。本专利技术的优点在于：通过将硅片正面对准符号转移到背面的技术，以背面对准符号作为前步图形套刻的参考点，解决P+埋层外延图形漂移的对准问题，套刻精度能达到2.5μm。【专利说明】一种半导体电路P+外延图形的转移对准光刻方法
本专利技术属于半导体工艺
，涉及一种半导体电路图形的制作方法。
技术介绍
当半导体电路经过P+外延后，因P+外延层折射率的差异，造成光刻对准的图形漂移，表面形貌发生改变，使光刻套准精度降低，工艺层的套刻无法完成。
技术实现思路
本专利技术的目的就是为了解决半导体电路P+外延后图形漂移、光刻套准精度降低问题，提供的一种半导体电路P+外延的转移对准光刻方法。本专利技术采本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体电路P+外延图形的转移对准光刻方法，其特征在于包括以下步骤：（1）、在双面光刻机中，在硅片的正面用Ⅰ号掩膜版光刻电路图形及对准标记a；（2）、将正面光刻的图形中进行砷注入，形成N＋图形及对准标记a；（3）、在双面光刻机中，用Ⅱ号掩膜版在硅片的背面光刻对准标记b，刻蚀对准标记浅腔，即将正面对准标记a转移到背面；（4）、腐蚀硅片表面的硅氧化层，在硅片正面生长P?外延层；（5）、双面光刻机中，将硅片背面的对准标记b与Ⅲ号掩膜版对准标记对准，用Ⅲ号掩膜版在P?外延层上光刻电路图形。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：李苏苏，丁继洪，陈博，姜楠，吕东锋，于航，简崇玺，张明浩，陈计学，郭群英，
申请(专利权)人：华东光电集成器件研究所，
类型：发明
国别省市：