【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种绝缘栅型场效应晶体管,其栅极是由电阻材料构成。在山田隆明1976年12月21日发表的美国专利US3999210上公开了一种电阻-氧化物-半导体绝缘栅型场效应管,该器件的栅极由电阻材料构成,并在沿源漏方向的栅极两端点设置两个栅极引入电极,工作时在此两电极加不同的电位,则沟道内形成一沿源漏方向变化的调制沟道电导的电场,以达到在宽频范围内具有线性阻抗特性的目的。本专利技术的目的则是提供一种具有不截止、遥截止或锐截止转移特性的绝缘栅型场效应晶体管。本专利技术的目的是用标准的MOS平面工艺实现的。与MOS管的不同是它的栅极是由电阻材料构成,而与前述现有技术的不同之处是,在该电阻栅垂直于源漏联线方向的端线的两端制作两个欧姆接触电极(见图1),作为本专利技术场效应管的两个栅极引入电极,而且电阻栅层的电阻率是均匀的,工作时在此两电极加上不同的电位,则由栅压提供的调制沟道电导的电场是一个沿着垂直于源漏联线方向的线性匀变电场。本专利技术的场效应管所具有的不截止、遥截止或锐截止转移特性,可以用以下叙述加以说明。以n沟道增强型为例考察沟道元dZ(见图2)。由于沟道dZ上的栅极各点电位均为同一数值VG(Z),显然此沟道元与源、漏极之组合为一微MOS管。根据MOSFET理论,其饱和时的漏电流为idsat= (μnCox)/(2L) 〔VG(Z)-VT〕2dZ……(1)这里VT为各微MOS管所具有的相同的阈值电压。设定VG1>VG2时,且有VG(Z)=VG1- (VG1-VG2)/(W) Z……(2)注意到本专利技术场效应管沟道部分导通时的转移特性状况,即VG1>VT> ...
【技术保护点】
一种电阻——氧化物——半导体场效应晶体管,由一种导电类型的源区(14)和漏区(16)、另一种导电类型的衬底(15)、以及栅极氧化层(13)和栅极电阻层(12)组成,其特征是在栅极电阻层的两端制作两个欧姆接触电极,它们的联线方向与源漏间的联线方向垂直。
【技术特征摘要】
1.一种电阻-氧化物-半导体场效应晶体管,由一种导电类型的源区(14)和漏区(16)、另一种导电类型的衬底(15)、以及栅极氧化层(13)和栅极电阻层(12)组成,其特征是在栅极电阻层的两端制作两...
【专利技术属性】
技术研发人员:叶安祚,杨长根,
申请(专利权)人:江西大学,
类型:发明
国别省市:36[中国|江西]
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