【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种。半导体集成电路是各领域广泛应用的最重要电子器件。然而，从可靠性角度来看，集成电路的问题之一是IC芯片被封装在塑模材料中之后，由湿气或其它杂质的侵入引起。比如封装件的裂痕或间隙会形成从封装件的外部到IC芯片表面的入侵路径。任何侵及IC表面的湿气，都会侵蚀构成IC芯片的半导体，并导致芯片功能失灵。附附图说明图1是个表明如何在封装好的IC器件中形成损坏的示意图。该结构包括装配在基片35′上的IC半导体芯片28，一个具有多个引线37的框架，通过引线，用金丝39，实现IC芯片28的端点与其电连接，以及封装IC芯片和引线框架的环氧树脂模压材料41。基片和/或引线框架的表面往往会氧化，形成低价氧化膜，而湿气势必会聚在这些层与封装件间的界面附近。当IC器件被组装到电路板上，实施焊接时，IC器件要经受了3～10秒钟的熔融焊料的260℃温度，因而，IC要承受一个急速的温度变化，这往往导致封装件上出现裂痕，如标号33、33′、33″。任何凝聚于封装件内的湿气将会蒸发，由蒸汽压力膨成空腔42，导致如41′所示的隆起，引起裂痕33′。这种隆起是非常可能出现的，因为...
【技术保护点】
一种用模压材料封装的电子器件的制造方法，所说的方法包括的步骤是：用有机导电膏将电子器件装配在引线框架上；将所说的器件与所说的引线框架实行电连接；将装有所说的器件的引线框架放入真空室；将真空室抽空至不高于１０↑［－２］Ｔｏｒｒ 的压力，以便排除所说的有机导电膏挥发的气体；以及封装所说的电子器件。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 1988-10-12 256701/88;JP 1988-10-12 256702/881.一种用模压材料封装的电子器件的制造方法，所说的方法包括的步骤是用有机导电膏将电子器件装配在引线框架上；将所说的器件与所说的引线框架实行电连接；将装有所说的器件的引线框架放入真空室；将真空室抽空至不高于10-2Torr的压力，以便排除所说的有机导电膏挥发的气体；以及封装所说的电子器件。2.权利要求1的方法还进一步包括，在抽空之后，于封装步骤之前，淀积一层保护膜的步骤。3.按权利要求1的方法，其中所说的器件在封装之前，在所说的压...
【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，浦田一男，广濑直树，小山到，今任慎二，中下一寿，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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