一种制造可关断晶闸管的方法技术

一种制造可关断晶闸管的方法，用该方法，在衬底的阴极表面已扩进或注进施主后，但在扩散进ｎ型发射区（１３）前，用腐蚀进衬底（１）的槽（１６ａ，ｂ）将各个单个的晶闸管隔离开来。该工艺避免了Ｐ型基区层（１０）的厚度的不必要的损失，因此改善了可关断晶闸管的电学性能。（*该技术在2009年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及大功率电子学领域，尤其是。其方法是把许多用槽彼此隔离的n型发射区集成在衬底上，该衬底依次由叠起的n型基区层和p型基区层叠成。类似的方法已在，例如US4，243，999中公开。目前的可关断晶闸管的结构型式是在一个单片衬底上集成大量的(可高达2000个)单个完整的晶闸管，这些单个的晶闸管能够由一个共同的门极端子控制接通和断开。上述可关断晶闸管的制造是从一个衬底上进行的，该衬底具有n型基区层和p型基区层叠合而成的一个整个面上的PN结结构，该PN结结构能承受所要求的阻塞电压。已知方法是在一个PN结层状结构的衬底的整个面上形成一个n型发射区层。接着，刻蚀出许多隔离槽，也就是说把特定区域的n型发射区层腐蚀掉，以把各单个的晶闸管部分彼此分开。这种隔离工序通常是在以扩散各种掺杂剂为目的的所有的热工序完成后才进行的。为保证门极(p型基区层)和阴极(n型发射区层)之间的可靠绝缘，腐蚀深度实际上必须超过n型射区层和p型基区层之间的PN结深度的10～20%。在这种情况下，高掺杂p型基区层的很大一部分难免被腐蚀掉了。此外，隔离/腐蚀以后，门极和阴极之间的衬底表面失去保护，必须用附加的涂层来本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造可关断晶闸管的方法，在衬底（１）上用槽（１６ａ，ｂ）隔离出许多ｎ型发射区（１３）形成一个按ｎ型基区层（１１）和ｐ型基区层（１０）相叠顺序的多层结构，其特征在于：（ａ）首先在紧靠ｐ型基区层（１０）的整个表面处形成一层含施主的预沉积 层（９）；（ｂ）然后将预沉积层（９）用槽（１６ａ，ｂ）刻蚀出许多相互隔离的预沉积区（９ａ）；（ｃ）最后将预沉积层（９ａ）中的施主扩散到衬底（１）中去，形成ｎ型发射区（１３）。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】CH 1988-9-13 3414/881.一种制造可关断晶闸管的方法，在衬底(1)上用槽(16a，b)隔离出许多n型发射区(13)形成一个按n型基区层(11)和p型基区层(10)相叠顺序的多层结构，其特征在于(a)首先在紧靠p型基区层(10)的整个表面处形成一层含施主的预沉积层(9)；(b)然后将预沉积层(9)用槽(16a，b)刻蚀出许多相互隔离的预沉积区(9a)；(c)最后将预沉积层(9a)中的施主扩散到衬底(1)中去，形成n型发射区(13)。2.按权利要求1的方法，其特征在于在预沉积区(9a)中的施主向衬底(1)扩散的同时，在带槽的衬底(1)的表面上形成一层覆盖层(12)。3...

【专利技术属性】
技术研发人员：托马斯弗拉萨克，
申请(专利权)人：亚瑞亚勃朗勃威力有限公司，
类型：发明
国别省市：CH[瑞士]