【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及硅的腐蚀，更具体地说，本专利技术涉及改进单晶硅各向异性的腐蚀。在微电子设备的生产中，多年来都采用单晶硅的各向异性腐蚀。一个主要的特点是，腐蚀溶液腐蚀(100)晶面的速率比腐蚀(110)和(111)晶面要快得多，(110)和(111)晶面与(100)晶面形成54.74°而构成V形的侧壁。现有技术中已知的腐蚀溶液举例如下IBM Tech.Discl.Bull.，vol.19，No.9(2.1977)，P3623公开了一种用于各向异性腐蚀单晶硅的溶液，其溶液含1，2-乙二胺、焦儿茶酚和水;和IBM Tech.Discl.Bull.，Vol.19，No.10(3，1977)，P3953也描述了这样一种溶液，其溶液含有前述文章中所述的三种组分，而且还含有过氧化氢。另外还可参见1983年11月29日公开的Bohlen等人的US4417946和1982年8月3日公开的Bohlen等人的US4342817，这两篇专利公开了一种制造膜片的方法，使用的腐蚀溶液由1，2-乙二胺、焦儿茶酚、水和任选的过氧化氢所组成，以及1981年10月6日公开的Greenwood...
【技术保护点】
一种腐蚀硅的方法，其特征在于，所述的硅与腐蚀溶液接触，其腐蚀溶液含有在苯环上至少有两个相临的羟基和一个极性官能团的芳族化合物、一种胺和水。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】US 1989-10-3 416,3371.一种腐蚀硅的方法，其特征在于，所述的硅与腐蚀溶液接触，其腐蚀溶液含有在苯环上至少有两个相临的羟基和一个极性官能团的芳族化合物、一种胺和水。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述的极性官能团是COOH。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于所述的芳族化合物是梧酸。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的胺选自于由具有2-4碳原子的二胺与链烷醇胺组成的组中，链烷醇胺中每个链烷醇基含2-3碳原子。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于所述的胺是单乙醇胺。6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述的腐蚀溶液还包含吡嗪或哌啶。7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于将过氧化氢加到所述的腐蚀溶液中。8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于将表面活性剂加到所述的腐蚀溶液中。9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述的腐蚀溶液包含约4-6(摩尔)%所述芳族化合物、约39-56(摩尔)%所述胺和约57-38(摩尔)%水。10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述腐蚀溶液的温度约115-125℃，pH约11-12。11.一种腐蚀硅片的方法，其特征在于将所述的硅片放入一种腐蚀溶液中，其溶液包含约4-6(摩尔)%芳族化合物，该芳族化合物的苯环上至少有两个相临的羟基和一个COOH基;约39-56(摩尔)%胺，其胺选自于由具有2-4碳原子的二胺与链烷醇胺组成的组中，而链烷醇胺的每个链烷醇基含2-3个碳原子;以及约57-38(摩尔)%水。12.根据权利要求11所述的方法，其特征在于所述的芳族化合物是梧酸，所述的胺是单乙醇胺。13.根据权利要求12所述的方法，其特征在于所述腐蚀溶液的温度约115-125℃，pH约11-...
【专利技术属性】
技术研发人员：拉里威尔伯奥斯丁，哈罗德乔治林德，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。