【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及在制造各种硅器件时的表面加工工序中使用的硅各向 异性蚀刻液组合物，尤其是涉及适于制造在硅基板上具有金属膜的半导 体装置的硅各向异性蚀刻液組合物。
技术介绍
近年来，通过微加工技术(micromachining),各种珪器件应用于半 导体装置、例如热型传感器、压力传感器、加速度传感器、角速度传感 器等各种器件中。对于这样的各种硅器件，有高集成化、微细化、高感 度化、高功能化等各种各样的要求，为了满足这样的要求，在制造这些 硅器件时使用作为微加工技术的微细加工技术。在微加工技术中，为了 形成所需的立体结构，使用硅的各向异性蚀刻技术。以往，对硅单晶基板进行湿式蚀刻时，有釆用氢氟酸、硝酸、乙酸 的混合水溶液的酸性蚀刻液来进行蚀刻的方法；采用氢氧化钾、四甲基 氢氧化铵、肼等的水溶液的碱性蚀刻液来进行蚀刻的方法等。采用上述 的酸性蚀刻液进行蚀刻时，由于是与硅单晶基板的结晶方位无关的各向 同性的蚀刻，因此多在对由硅单晶锭切出的硅晶片表面进行均一蚀刻时 使用。另一方面，碱性蚀刻液由于具有依赖于硅单晶基板结晶方位的蚀 刻速度，因此能够进行硅各向异性蚀刻，能够利用该各...
【技术保护点】
一种硅各向异性蚀刻液组合物，其特征在于，是含有（ａ）碱化合物以及（ｂ）含硅化合物的水溶液，其中，所述（ａ）碱化合物是有机碱化合物和无机碱化合物的混合物。
【技术特征摘要】
...
【专利技术属性】
技术研发人员：勇谦司，木村真弓，青山哲男，田湖次广，
申请(专利权)人：林纯药工业株式会社，三洋电机株式会社，三洋半导体株式会社，三洋半导体制造株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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