【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及一种。更具体地说，本专利技术涉及一种，它使用非晶硅膜结晶化而得的结晶硅膜做为有源区域。本专利技术可特别有效地运用于在绝缘基板上设置TFT(薄膜晶体管)的半导体器件，可利用于有源矩阵型液晶显示装置、密接型图像传感器、三维IC等。近年来，为了实现大型且高解像度的液晶显示装置、高速且高解像度的密接型图像传感器、三维IC等，有人试图在玻璃等绝缘基板上或绝缘膜上形成高性能的半导体器件。用于此等装置上的半导体器件一般均用薄膜状硅半导体层。此种薄膜状硅半导体层可大致可分为两类即在硅(a-Si)半导体上制造的一种和在结晶硅半导体上制造的一种。非晶硅半导体的制作温度低，可较容易地用汽相法制造，可大量生产，故最常用，但其导电性等物理性能较由结晶硅半导体制得的差。因此，今后为了得到高速特性，由具有结晶硅半导体所构成的半导体器件的制造方法实具高度必要性。具有结晶硅半导体的例子包括多晶硅、微结晶硅、含有结晶成分的非晶硅、具有结晶性与非晶性的中间状态的半非晶(semi-amorphous)硅等。得到此等具有结晶性的薄膜状的硅半导体层之方法目前有下例三种(1)淀积半导体膜时...
【技术保护点】
一种半导体器件，包括：一具有绝缘表面的基板及形成于该基板的绝缘性表面且由具有结晶硅膜所构成的有源区域，其特征在于，有源区域系形成于将非晶硅膜选择性地结晶化而得的结晶硅区域内，且利用该非晶硅区域与结晶硅区域的边界进行掩模对准以决定其位置。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 1994-8-25 200603/941.一种半导体器件，包括一具有绝缘表面的基板及形成于该基板的绝缘性表面且由具有结晶硅膜所构成的有源区域，其特征在于，有源区域系形成于将非晶硅膜选择性地结晶化而得的结晶硅区域内，且利用该非晶硅区域与结晶硅区域的边界进行掩模对准以决定其位置。2.根据权利要求1的半导体器件，其特征在于，该结晶硅区域包含促进非晶硅膜的加热处理结晶化的触媒元素。3.根据权利要求2的半导体器件，其特征在于，该触媒元素系选自Ni、Co、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、In、Sn、Al、P、As及Sb中的至少一种元素。4.一种半导体器件的制造方法，包括下列步骤在基板上形成非晶硅膜；使该非晶硅膜的一部分选择性地结晶化；利用使该非晶硅膜选择性地结晶化而得的非晶硅区域与该非晶硅膜上未被结晶化的非晶硅区域的边界进行掩模对准；及根据该掩模对准使该非晶硅膜形成图样。5.一种半导体器件的制造方法，包括下列步骤在基板上形成非晶硅膜；在该步骤之前或后将促进该非晶硅膜结晶化的触媒元素选择性地加入该非晶硅膜；藉加热使该非晶硅膜选择性地结晶化、同时在被选择性地加入该触媒元素的区域的周边上沿与基板表面大致平行的方向结晶生长；利用位于与基板表面大致平行的方向上结晶生长所形成的结晶硅区域的外周端上的该结晶硅区域与未结晶化的非晶硅区域的边界进行掩模对准；及根据该掩模对准使该非晶硅膜形成图...
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。