【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及阳极氧化互连，并涉及一种使用阳极氧化法以制造开关器件的方法，此种阳极氧化法使用在例如液晶显示装置中。传统的有源矩阵驱动型液晶显示装置中，由薄膜晶体管(TFTThin Film Transistor)所代表的以3端子非线性器件为开关器件的液晶显示装置的制造过程中，须要6次～8次以下的薄膜形成步骤及光刻步骤，其制造过程繁杂，因此缩短制造时间及降低成本为最大的课题。针对此点，以在特定电压以上导电的2端子非线性器件为开关器件的液晶显示装置在制造时间及成本上具有优越性，故正在急速地发展中。此等2端子非线性器件的代表有MIM(Metal-Insulator-Metal)型器件。在以MIM型器件为开关器件的液晶显示装置中，由于装设有像素电极及MIM型器件的有源矩阵基板与形成有相对电极的相对基板之间的液晶层上所施加的电压改变极为急剧，故即使在显示画面的大型化，高解像度化所带来的高负载驱动时亦可得到高对比度的显示。附图说明图11及图12所示为以MIM器件为开关器件的传统有源矩阵基板中之单一像素的构造。图11为其平面图，图12为图11的AA剖面图。在图11及图12...
【技术保护点】
一种开关器件的制造方法，为在下部电极与上部电极之间插设一经阳极氧化而形成的绝缘膜的开产器件的制造方法，其特征为：在形成该绝缘膜时，使用阳极氧化的互连线对要阳极氧化的图样进行阳极氧化，这些互连线将设置在形成电压的输入点和待阳极氧化的图样之间的多个结合点连接到该形成电压输入点，且将该结合点连接到图样的输入点，以便在图样的各输入点的形成电压彼此相等。
【技术特征摘要】
JP 1994-7-12 160136/941.一种开关器件的制造方法，为在下部电极与上部电极之间插设一经阳极氧化而形成的绝缘膜的开产器件的制造方法，其特征为在形成该绝缘膜时，使用阳极氧化的互连线对要阳极氧化的图样进行阳极氧化这些互连线将设置在形成电压的输入点和待阳极氧化的图样之间的多个结合点连接到该形成电压输入点，且将该结合点连接到图样的输入点，以便在图样的各输入点的形成电压彼此相等。2.根据权利要求1的开关器件的制造方法，其特征在于，在采用阳极氧化互连线以阳极氧化图样的工艺中，将形成电流密度设置在1mA/cm2或以下。3.根据权利要求1的开关器个的制造方法，其特征在于，在采用阳极氧化互连线以阳极氧化图样时，在一预定时间里逐渐增加形成电流，直到形成电压达到一预电值为止，在该预定时间过去后，在保持预定形成电压的同时，进行图样的阳极氧化，从而形成电流在预定时间里沿时间轴的变化与形成电流在预定形成电压达到后沿时间轴的变化成对称。4.一种开关器件的制造方法，其中用阳极氧化形成的绝缘膜插置在下部电极和上部电极之间；其特征在于当要形成该绝缘膜时，对一待阳极氧化的图样是这样进行阳极氧化的，即使用一围绕第一互连环设置的第二互连环，该阳极氧化用的第一互连环与该图样接触并包围该图样；还使用由多根线组成的阳极氧化的互连线，用以经一与第二互连环相连接的结合点而输入形成电压，并用以使结合点和第一互连环之间的电位彼此相等。5.根据权利要求4的开关器件的制造方法，其特征在于，用阳极氧化互连以阳极氧化图样的工艺中，形成电流密度设置在1mA/cm2或以下。6.根据权利要求4的开关器件的制造方法，其特征在于，在用阳极氧化互连来阳极氧化图样时，在一预定时间里逐渐增加形成电流，直到形成电压达到一预定值为止，在预定时间过去后，在保持预定形成电压的同时，进行图样的阳极氧化，从而使形成电流在预定时间里沿时间轴的改变与形...
【专利技术属性】
技术研发人员：石本佳久，岸田正浩，吉水敏幸，
申请(专利权)人：夏普公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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