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本发明的半导体器件包含：一具有绝缘性表面的基板及形成于基板的绝缘表面而由具有结晶硅膜所构成的有源区域。该有源区域形成于将非晶硅膜选择性地结晶化而得的结晶硅区域内，利用非晶硅膜的非晶硅区域与结晶硅区域的边界进行掩模对准以决定位置而形成。...
该专利属于夏普公司所有，仅供学习研究参考，未经过夏普公司授权不得商用。

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