半导体器件的器件隔离方法技术

一种半导体器件的器件隔离方法，包括：在半导体衬底上形成一衬垫氧化层和一氮化物层之后，将位于器件隔离区上方的氮化物层清除掉。通过局部腐蚀衬垫氧化层在氮化物层下方形成一个切口。在暴露的衬底上形成第一氧化层并在氮化物层侧壁上形成一个多晶硅分隔层之后，通过对其中已在９５０℃以上的温度下形成了多晶硅分隔层的所得结构进行氧化，在形成于有源区上的氮化物层下方形成一个空洞。可实现良好的单元限定和稳定的器件隔离。（*该技术在2015年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及到一种，更确切地说是一种用硅的局部氧化工艺(LOCOS)在被器件隔离方法中鸟喙穿通加厚了的衬垫氧化层中故意形成一个空洞的。根据半导体器件向高集成度发展的最新趋势，已积极推进了器件隔离技术(微加工技术)的研究和开发。器件隔离区的制作是半导体制造工艺中的第一步，而且决定着有源区的尺度，并确定着所有后续制造工艺步骤的范围。采用LOCOS方法已达到了隔离。附图说明图1A—1D示出了用常规LOCOS方法制作场氧化层的一种方法。参照图1A，在半导体衬底10上形成一个衬垫氧化层12之后，在其上制作一个氮化物层14。参照图1B，将光致抗蚀剂涂覆在氮化物层14上并将其图形化以形成光致抗蚀剂图形16。然后在衬底的整个表面上离子注入与衬底导电类型相同的杂质以形成沟道停止区。参照图1C，在用光致抗蚀剂图形16作为腐蚀掩模对氮化物层14进行刻蚀并清除光致抗蚀剂图形之后，执行热氧化工序使场氧化层18形成在衬底的器件隔离区中。此时，在场氧化层18下方就形成一个沟道停止区20。参照图1D，通过清除氮化物层14和衬垫氧化层12就实现了器件隔离。然而，如所周知，由于氧渗透到用作氧化防止掩模的氮化物层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件的器件隔离方法，它包含下列步骤： 在半导体衬底上形成一个衬垫氧化层和一个氮化物层； 清除位于器件隔离区上方的上述氮化物层； 通过局部腐蚀上述衬垫氧化层而在上述氮化物层下方形成一个切口区； 在暴露的衬底上形成一个第一氧化层； 在上述氮化物层的侧壁上形成一个多晶硅分隔层；以及 对其中形成了上述多晶硅分隔层的所得结构进行选择性氧化，并在位于上述形成在有源区上的氮化物层下方的上述氧化层中形成一个空洞。

【技术特征摘要】
KR 1994-6-8 12841/94;KR 1994-12-31 40685/941.一种半导体器件的器件隔离方法，它包含下列步骤在半导体衬底上形成一个衬垫氧化层和一个氮化物层；清除位于器件隔离区上方的上述氮化物层；通过局部腐蚀上述衬垫氧化层而在上述氮化物层下方形成一个切口区；在暴露的衬底上形成一个第一氧化层；在上述氮化物层的侧壁上形成一个多晶硅分隔层；以及对其中形成了上述多晶硅分隔层的所得结构进行选择性氧化，并在位于上述形成在有源区上的氮化物层下方的上述氧化层中形成一个空洞。2.根据权利要求1的半导体器件的器件隔离方法，其中所述的选择性氧化工序在950℃或更高的温度下执行。3.根据权利要求1的半导体器件的器件隔离方法，其中形成所述多晶硅分隔层，使其填充在上述切口区中。4.根据权利要求1的半导体器件的器件隔离方法，其中所述的第一氧化层的厚度为30—160A。5.根据权利要求1的半导体器件的器件隔离方法，其中，借助于在形成上述多晶硅分隔层时对多晶硅层进行过腐蚀而形成比上述氮化物层低的所述多晶硅分隔层。6.一...

【专利技术属性】
技术研发人员：安东浩，安性俊，申裕均，金允基，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：KR[韩国]