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一种半导体器件的器件隔离方法，包括：在半导体衬底上形成一衬垫氧化层和一氮化物层之后，将位于器件隔离区上方的氮化物层清除掉。通过局部腐蚀衬垫氧化层在氮化物层下方形成一个切口。在暴露的衬底上形成第一氧化层并在氮化物层侧壁上形成一个多晶硅分隔层之...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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