半导体器件及其制造方法技术

将图形转移到经退火而结晶的硅膜上之后，经强射线短时间辐照使硅膜退火。具体地讲，在退火结晶工艺中，将促进结晶化的元素如镍掺入其内。用强射线辐照也使退火未结晶的区区结晶，形成致密的硅膜。在掺入促进结晶化的金属元素之后，在含卤化物的气氛中对退火而结晶的硅膜进行强射线辐照。完成光的短时间辐照。在卤化气氛中经强射线辐照或加热使硅膜表面氧化，在硅膜上形成氧化膜，然后腐蚀掉氧化膜。结果去掉硅膜中的镍。（*该技术在2014年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种制造半导体器件的方法，通过在由玻璃或类似物制成的绝缘衬底上或各种衬底上形成的绝缘膜上淀积非单晶硅(下文称Si)膜制备半导体器件，如薄膜晶体管(TFT)、薄膜二极管(TFD)、以及包括晶体管和二极管的薄膜集成电路，特别是用于有源液晶显示器(LCD)的薄膜集成电路。近来已开发出一种半导体器件，其中的TFT被装配在由玻璃或类似物制成的一种绝缘衬底上，如有源液晶显示器，和一图象传感器，其中的TFT被用于驱动用象素。一般薄膜Si半导体被用于上述器件中使用的TFT。上述薄膜Si半导体包括两种类型半导体，它们是非晶Si半导体(a-Si)和结晶Si半导体。非晶Si半导体被使用得最普遍，因为它易于在低温用汽相工艺制造，而且适于批量生产；但其导电性比结晶Si半导体低。所以，人们强烈要求产生一种由结晶Si半导体来制作TFT的制作方法，可得到下文将述的高速特性。作为一种结晶Si半导体，多晶硅，微晶硅，包括结晶成分的非晶硅以及介于结晶和非晶中间状态的半导非晶硅都是公知的。作为薄膜结晶Si半导体的制作方法，下列方法是公知(1)直接淀积结晶膜。(2)首先淀积非晶半导体膜，然后用激光束能量使本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造半导体器件的方法，包括：在一衬底上形成一非单晶硅膜；经热退火使该非单晶硅膜结晶；使非单晶硅膜形成岛状图形；以及用近红外辐射和可见辐射之间的光对非单晶硅膜图形进行辐照，以促进结晶。

【技术特征摘要】
JP 1993-7-27 204774/93;JP 1993-7-30 208996/931.一种制造半导体器件的方法，包括在一衬底上形成一非单晶硅膜；经热退火使该非单晶硅膜结晶；使非单晶硅膜形成岛状图形；以及用近红外辐射和可见辐射之间的光对非单晶硅膜图形进行辐照，以促进结晶。2.权利要求1的方法，其中的非单晶硅膜中含有促进结晶化的金属元素。3.权利要求1的方法，还包括在热退火或图形形成之后，在岛状非单晶硅膜图形上形成能透过促进步骤所用光的绝缘膜的步骤。4.权利要求3的方法，其中的绝缘膜是由氮化硅或氧化硅制成。5.权利要求1的方法，其中的光具有4μm～0.5μm的波长。6.权利要求1的方法，其中的光辐照持续10～1000秒。7.一种制造半导体器件的方法，包括在一衬底上形成一非单晶硅膜；将一促进硅膜结晶化的金属元素选择掺入非单晶硅膜中；使硅膜经热退火，使选择掺杂了金属元素的区域周围的硅膜结晶；以及在结晶步骤之后，对硅膜用激光或近红外辐射和可见辐之间的光进行辐照，促进结晶化。8.权利要求7的方法，还包括在200～450℃温度含氢的气氛中对硅膜进行热退火，来中和硅膜中硅的悬空键的步骤。9.权利要求7的方法，其中的在近红外辐射和可见辐射之间的光具有4μm～0.5μm的波长。10.权利要求9的方法，其中的近红外辐射和可见辐射之间的光辐照持续10～1000秒。11.一种制造半导体器件的方法，包括在一衬底上形成一非晶硅膜；将一促进硅膜结晶化的金属元素引入非晶硅膜中；经热退火使非晶硅膜结晶；以及在含氯化物或氟化物气体的气氛中对结晶的硅膜进行光辐照，来减少硅膜中金属元素的浓度。12.权利要求11的方法，其中的金属元素是镍。13.权利要求11的方法，还包括在200～450℃温度含氢的气氛中，...

【专利技术属性】
技术研发人员：张宏勇，大沼英人，竹村保彦，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]