【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及诸如薄膜晶体管(IFT)的，特别涉及在有绝缘表面的衬底上用结晶硅膜制造半导体器件的方法。近年来，企图提出一种用玻璃衬底上形成的硅薄膜制造薄膜晶体管(TFT)的技术。薄膜晶体管最初用作有源矩阵型液晶电光器件。TFT也用于各种薄膜集成电路。液晶电光器件设计成把液晶密封在一对玻璃衬底之间，给液晶加一电场使液晶的光特性改变，以显示图象。使用TFT的有源矩阵型液晶显示装置的特征是，TFT排列在每个象素中，用作为开关的TFT控制象素电极储存的电荷。由于有源矩阵型液晶显示装置能快速显示出好的图象。因而它用作各种电子装置(如便携式文字处理机或便携式计算机)的显示器。有源矩阵型液晶显示装置中用的TFT通常制造在透明衬底上，如石英衬底，或玻璃衬底，和用非晶硅薄膜。然而，用非晶硅薄膜的TFT存在下述问题(1)特性差，不能以较好的质量显示图象。(2)不能构成驱动设置在每个象素中的TFT的外围电路。为解决上述的(1)和(2)问题，有一种用结晶硅薄膜制造TFT的技术。获得结晶硅薄膜的方法是，用等离子CVD或低压CVD法在玻璃或石英衬底上形成非晶硅膜后、用激光辐照非晶硅膜，...
【技术保护点】
一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：在绝缘表面上形成非晶硅膜：设置与非晶硅膜表面接触的促进硅结晶的金属元素；在非晶硅膜的结晶温度以上的温度热处理利用金属元素的非晶硅膜，以便晶化非晶硅膜。２．一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤：在玻璃衬底上形成非晶硅膜；设置与非晶硅膜的表面接触的促进硅结晶的金属元素；在玻璃衬底的扭曲点与退火点之间的温度对用金属之类的非晶硅膜热处理，使非晶硅膜结晶；和热处理步骤后，按１℃／分钟以下的速度冷却非晶硅膜至５００℃以下。
【技术特征摘要】
JP 1995-6-2 159976/95;JP 1995-6-1 160002/95;JP 1991.一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤在绝缘表面上形成非晶硅膜设置与非晶硅膜表面接触的促进硅结晶的金属元素；在非晶硅膜的结晶温度以上的温度热处理利用金属元素的非晶硅膜，以便晶化非晶硅膜。2.一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤在玻璃衬底上形成非晶硅膜；设置与非晶硅膜的表面接触的促进硅结晶的金属元素；在玻璃衬底的扭曲点与退火点之间的温度对用金属之类的非晶硅膜热处理，使非晶硅膜结晶；和热处理步骤后，按1℃/分钟以下的速度冷却非晶硅膜至500℃以下。3.一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤在玻璃衬底上形成非晶硅膜；设置与非晶硅膜接触的促进硅结晶的金属元素；用高于非晶硅膜的结晶温度和在玻璃衬底的扭曲点与退火点之间的温度热处理利用金属元素的非晶硅膜，使非晶硅膜结晶；和热处理步骤后，按1℃/分钟以下的温度冷却非晶硅膜至500℃以下。4.按权利要求1的方法，其特征是，金属元素是选自以下金属中的至少一种，这些金属是Fe，Co，Ni，Ru，Rh，Pd，Os，Ir，Pt，Cu和Au。5.按权利要求2的方法，其特征是，金属元素是选自以下金属中的至少一种，这些金属是Fe，Co，Ni，Ru，Rh，Pd，Os，Ir，Pt，Cu和Au。6.按权利要求3的方法，其特征是，金属元素是选自以下金属中的至少一种，这些金属是Fe，Co，Ni，Ru，Rh，Pd，Os，Ir，Pt，Cu和Au。7.按权利要求1的方法，其特征是，金属元素的设置步骤包括给非晶硅膜表面加含金属元素的溶液的步骤。8.按权利要求2的方法，其特征是，金属元素的设置步骤包括给非晶硅膜表面加含金属元素的溶液的步骤。9.按权利要求3的方法，其特征是，金属元素的设置步骤包括给非晶硅膜加含金属元素的溶液的步骤。10.按权利要求1的方法，其特征是，在热处理和冷却步骤中玻璃衬底放在有恒定平整性的基体上。11.按权利要求2的方法，其特征是，在热处理和冷却步骤中把玻璃衬底放在有恒定平整性的基体上。12.按权利要求3的方法，其特征是，在热处理和冷却步骤中把玻璃衬底放在有恒定平整性的基体上。13.一种半导体器件的制造方法，包括以下步骤在石英衬底上形成硅膜；设置与底膜接触的促进硅结晶的金属元素；在8...
【专利技术属性】
技术研发人员：山崎舜平，寺本聪，小山润，宫永昭治，
申请(专利权)人：株式会社半导体能源研究所，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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