【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及,特别是涉及这样一种,其利用其中形成有厚的SOI(绝缘体的上硅)层的晶片形成一个较沟道和LDD区(轻掺杂漏区)更厚的结区,能改善激励速度。目前,随着半导体器件的集成度越来越高,SOI晶体管能用作下一代的晶体管。SOI晶体管作为一种器件,其电性能,例如击穿特性和阈值电压,与通常的MOS(金属氧化物半导体)晶体管相比,有了明显的改进。这种SOI晶体管是在SOI晶片上形成的。就SOI晶片的结构看,其中的SOI层(例如下面的硅基片)、绝缘层和上面的硅层(SOI层),其叠置情况是与通常所用的体型(bulk-type)晶片不同的。制造半导体器件中的晶体管的一般方法可参看附图说明图1A和图1B来说明。如图1A所示,一个衬垫氧化膜4和多晶硅层5相继形成在SOI晶片20上,晶片20中形成有叠层结构的硅基片1、绝缘层2和SOI层3。然后使多晶硅层5和衬垫氧化膜4成型,以形成门极5A。注入低浓度的杂质离子,以便在门极5A两侧的SOI层3中形成一LDD区7。然后,如图1B所示,在门板5A的两侧壁处形成氧化膜衬垫6,接着通过注入高浓度杂质离子在暴露的SOI层3中形成结区8。由于形成的SOI层3很薄,从500至1500(埃),因此结区8本身内的电阻增大。结果,晶体管的激励速度降低,使器件的特性变坏。因此,本专利技术的目的是提供一种,其利用其中形成有厚的SOI层的晶片形成一个较沟道和LDD区更厚的结区,能解决上述问题。为达到上述目的,本专利技术的半导体器件的特点在于包括一个SOI晶片,具有一硅基片、一绝缘层和一SOI层,其中在SOI层的选择区域上形成有一沟槽;一个 ...
【技术保护点】
一种半导体器件中的晶体管,包括:一个SOI晶片,具有一硅基片、一绝缘层和一SOI层,其中在所述SOI层的选择区域上形成有一沟槽;一个门氧化膜,在所述沟槽内形成,以使所述SOI层的侧面部分暴露;一个门极,形成在所述门氧化膜上,而在所述门极的两侧壁处形成有衬垫;LDD区,形成在所述衬垫下的所述SOI层中;以及结区,形成在所述LDD区外侧部分处的所述SOI层中。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】KR 1995-6-20 16420/951.一种半导体器件中的晶体管,包括一个SOI晶片,具有一硅基片、一绝缘层和一SOI层,其中在所述SOI层的选择区域上形成有一沟槽;一个门氧化膜,在所述沟槽内形成,以使所述SOI层的侧面部分暴露;一个门极,形成在所述门氧化膜上,而在所述门极的两侧壁处形成有衬垫;LDD区,形成在所述衬垫下的所述SOI层中;以及结区,形成在所述LDD区外侧部分处的所述SOI层中。2.如权利要求1所述的晶体管,其特征在于,所述SOI层的总厚度为3000至5000,而留在所述沟槽下的所述SOI层的厚度为500至1500。3.如权利要求1所述的晶体管,其特征在于,所述绝缘层是由氧化膜或氮化膜形成的。4.如权利要求1所述的晶体管,其特征在于,所述衬垫是在与所述沟槽的侧壁隔开的部分中形成的。5.如权利要求1所述的晶体管,其特征在于,所述衬垫形成为所述沟槽的侧壁。6.如权利要求1所述的晶体管,其特征在于,所...
【专利技术属性】
技术研发人员:黄,
申请(专利权)人:现代电子产业株式会社,
类型:发明
国别省市:KR[韩国]
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