双极性晶体管中的增益恢复制造技术

一种恢复双极性晶体管中的增益的方法，包括：提供双极性晶体管，所述双极性晶体管包括发射极、集电极和在所述发射极和所述集电极处的结之间布置的基极；对于操作时间段用操作电压来反向偏压所述发射极和基极之间布置的结，使得所述晶体管的电流增益β劣化；使所述晶体管空闲；以及对于修复时间段（TR），在用第一修复电压（VBER）正向偏压所述发射极和所述基极之间布置的结时，且在至少部分地同时用第二修复电压（VCBR）反向偏压所述集电极和所述基极之间布置的结时，向所述基极中生成修复电流Ibr，使得至少部分地恢复所述增益。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及双极性晶体管，且更具体地，涉及用于恢复由于例如热载流子效应而丢失或劣化的增益的方法和结构。
技术介绍
双极性晶体管是具有彼此紧靠的两个p_n结的电子器件。典型的双极性晶体管具有三个器件区发射极、集电极和布置在所述发射极和所述集电极之间的基极。理想地，两个P_n结、即发射极-基极和集电极-基极结隔开了特定距离。通过改变在一个P_n结附近的偏压来调制该一个P_n结中的电流被称为“双极性晶体管动作”。如果发射极和集电极是掺杂的n型，且基极是掺杂的p型，则该器件是“npn”晶体管。或者，如果使用相反掺杂配置，则该器件是“pnp”晶体管。由于在npn晶体管的基极区中的少数载流子(即电子)的迁移性，用npn晶体管可以获得更高频率的操作和更高的速度性能。因此，本专利技术人相信npn晶体管包括用于构造集成电路的许多双极性晶体管。在图1(a)和1(b)中，除了各个基极偏压电路、开关P0、N0、集电极负载电路和发射极负载电路以夕卜，示出了现有技术的npn和pnp双极性晶体管Q0、Q1。随着器件(双极性晶体管)工作寿命而带来的性能损耗(wear-out)已经成为所有半导体器件的主要问题。一本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨志坚，王平川，冯凯棣，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：