【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及,特别是涉及制造半导体器件中的晶体管的一种方法,该方法通过在SOI(绝缘体上的硅)层上形成一多晶硅层,然后在其中注入杂质离子,以形成较沟道和LDD区(轻掺杂漏区)更厚的结区,来改善激励速度。目前,随着半导体器件的集成度越来越高,SOI晶体管能用作下一代的晶体管。SOI晶体管作为一种器件,其电性能,例如击穿特性和阈值电压,与通常的MOS(金属氧化物半导体)晶体管相比,有了明显的改进。这种SOI晶体管是在SOI晶片上形成的。就SOI晶片的结构看,其中的SOI层(例如下面的硅层)、绝缘层和上面的硅层,其叠置情况是与通常所用的体型(bulk-type)晶片不同的。制造半导体器件中的晶体管的一般方法可参看附图说明图1A和图1B来说明。如图1A所示,SOI晶片20的场区处形成有场氧化膜4。晶片20中以叠层结构形成有一硅层1、一绝缘层2和一SOI层3。在形成场氧化膜4以后,在所形成的构件上相继形成门氧化膜5和多晶硅层6。然后,使门氧化膜5和多晶硅膜6成型而形成门极6A。在门极6A的两侧,通过注入低浓度的杂质离子在SOI层3中形成LDD区7。接着,如图1B所示,在门极6A的两侧壁处形成氧化膜衬垫8,然后通过注入高浓度的杂质离子在暴露的SOI层3中形成结区9。在以上述方法制成的SOI晶体管中,所形成的SOI层3较薄,只有500到1500(埃)。因此,由于结区9的深度较浅,其本身内的电阻将增大。结果,晶体管的激励速度减小,于是造成激励特性变坏。本专利技术的目的是提供一种,其能通过在SOI层中的结区上部上形成一多晶硅层,然后注入杂质离子而形成较沟道和LDD ...
【技术保护点】
一种半导体器件中的晶体管,包括: 一场氧化层,形成在SOI晶片的场区上,所述晶片中以叠层结构形成有一硅层、一绝缘层和一SOI层; 一门氧化层,形成在所述SOI晶片的有源区的选择部分上; 一门极,形成在所述门氧化层上; 一氧化衬垫,形成在所述门极的两侧壁上;和 一多晶硅层,形成在所述场氧化层及所述SOI层的暴露部分上,其中所述多晶硅层和该多晶硅层下面的SOI层通过注入杂质离子成为第一结区,而所述氧化衬垫下面的所述SOI层通过注入杂质离子成为第二结区。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】KR 1995-6-20 16404/951.一种半导体器件中的晶体管,包括一场氧化层,形成在SOI晶片的场区上,所述晶片中以叠层结构形成有一硅层、一绝缘层和一SOI层;一门氧化层,形成在所述SOI晶片的有源区的选择部分上;一门极,形成在所述门氧化层上;一氧化衬垫,形成在所述门极的两侧壁上;和一多晶硅层,形成在所述场氧化层及所述SOI层的暴露部分上,其中所述多晶硅层和该多晶硅层下面的SOI层通过注入杂质离子成为第一结区,而所述氧化衬垫下面的所述SOI层通过注入杂质离子成为第二结区。2.如权利要求1所述的晶体管,其特征在于,所述绝缘层由一氧化层形成。3.如权利要求1所述的晶体管,其特征在于,所述SOI层形成有500至1500的厚度。4.如权利要求1所述的晶体管,其特征在于,所述门极形成有3000至4000的厚度。5.如权利要求1所述的晶体管,其特征在于,所述多晶硅层成型为暴露出所述场氧化层的一部分。6.如权利要求1所述的晶体管,其特征在于,所述第一结区是通过注入高浓度杂质离子而形成的。7.如权利要...
【专利技术属性】
技术研发人员:黄,
申请(专利权)人:现代电子产业株式会社,
类型:发明
国别省市:KR[韩国]
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