防止在晶片的边缘上形成黑硅的方法和装置制造方法及图纸

一种通过减少黑硅的沉积增加芯片成品率的方法包括以下步骤：提供适合于制造半导体芯片的硅晶片，在晶片的整个表面上淀积第一层，除去部分第一层露出适合形成半导体器件的区域，以及腐蚀晶片使第一层的其余部分防止在晶片上腐蚀材料的再沉积。一种减少黑硅淀积其上的半导体组件包括适合于制造半导体芯片的硅晶片，晶片具有形成半导体器件的正面、背面和边缘。淀积层形成在晶片上覆盖背面和边缘，防止腐蚀期间晶片的背面和边缘上硅的再沉积。（*该技术在2019年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及半导体器件，特别涉及防止在晶片上形成黑硅的方法和装置。腐蚀工艺通过例如化学反应要除去的部分表面从衬底上除去材料。然而在腐蚀期间，被腐蚀的材料经常地再沉积，通常这是不希望的。在半导体工业中，在集成电路芯片的处理中广泛地使用腐蚀。在集成电路芯片的制造工艺中，硅晶片作为半导体器件形成其上的衬底。在包括存储单元的集成电路中，如深沟槽电容器等的电容器需要将深沟槽腐蚀到硅衬底内。所述腐蚀通常促进了硅材料在晶片的其它区域中的再沉积。这些其它区域包括硅晶片的背表面和边缘。黑硅是描述通过腐蚀半导体芯片中的硅形成的硅沉淀物使用的术语。黑硅通常为长度约4到6微米之间的小尖峰(spike)形。这些尖峰经常形成在硅衬底的露出区域上，特别是沿晶片的外边缘形成。尖峰从晶片脱离并在处理期间影响晶片上器件的形成。尖峰的存在影响了芯片成品率。如上所述，尖峰经常形成在晶片的边缘和背面上。常规的技术尝试在附加的处理之前通过清洗晶片的背面或除去边缘的熔珠(bead)去除尖峰。漂洗技术使用液体漂洗掉形成在晶片边缘和/或背面上形成的尖峰。使用如抛光等的机械工艺除去边缘熔珠的同时除去这些尖峰。然而，这两种技术都本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种通过减少黑硅沉积增加芯片成品率的方法，包括以下步骤：提供适于制造半导体芯片的硅晶片；在晶片的整个表面上淀积第一层；除去部分第一层露出适用于形成半导体器件的区域；以及腐蚀晶片使第一层的其余部分阻止在晶片上腐蚀材料的再沉积。

【技术特征摘要】
US 1998-12-10 09/2094131.一种通过减少黑硅沉积增加芯片成品率的方法，包括以下步骤提供适于制造半导体芯片的硅晶片；在晶片的整个表面上淀积第一层；除去部分第一层露出适用于形成半导体器件的区域；以及腐蚀晶片使第一层的其余部分阻止在晶片上腐蚀材料的再沉积。2.根据权利要求1的方法，其中第一层为氧化层。3.根据权利要求1的方法，其中淀积的步骤包括通过低压汽相淀积淀积第一层。4.根据权利要求1的方法，其中除去的步骤包括通过反应离子腐蚀除去第一层。5.根据权利要求1的方法，还包括在第一层和用于形成半导体器件的露出区域上形成衬垫层的步骤。6.根据权利要求5的方法，还包括在用于形成半导体器件的衬垫层上形成玻璃层的步骤。7.根据权利要求1的方法，其中腐蚀晶片的步骤还包括通过反应离子腐蚀腐蚀晶片。8.一种处理半导体器件的硅晶片减少制造期间硅的再沉积的方法，包括以下步骤在晶片的整个表面上形成第一层；在第一层的第一部分上形成抗蚀剂层留在晶片上，第一部分位于晶片的背面和边缘；通过曝光抗蚀剂层除去留下的第一层的第二部分，由此露出适合于半导体器件形成其上的晶片的正面，以及除...

【专利技术属性】
技术研发人员：DC佩恩格，DM多布什斯基，TH王，K洛伊斯纳，
申请(专利权)人：西门子公司，国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]