【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本专利技术涉及微晶系列光电元件，该光电元件具有高光电转换效率，能够使其制造例如高性太阳能电池、高性能光敏器件等高性能半导体器件，特别是所说太阳能电池甚至在长时间连续用于户外时也能稳定地呈现太阳能电池特性不退化。本专利技术还涉及制造所说光电元件的方法。本专利技术还涉及使用所说光电元件的建筑材料，和使用所说光电元件的太阳光发电装置。各种光电元件不仅已用作电设备的独立电源，而且还已用作日常电源系统的替代能源。然而，就用作日常电源系统的替代能源的光电元件而言，在产生单位数量的电力所花的成本方面，它们仍不能令人满意。关于这一点，为了开发出先进的光电元件，人们进行了各种研究。例如，特别关于在光电转换中担当重要角色的材料，已进行了结晶型光电元件、薄膜型光电元件等的技术研究和开发。结晶型光电元件是指具有包括单晶硅半导体材料或多晶硅半导体材料的光电转换部件的光电元件。薄膜型光电是指具有包括例如非晶硅半导体材料和非晶硅-锗半导体材料等含非晶硅半导体材料、例如微晶硅半导体材料和微晶硅-锗半导体材料等含微晶硅的半导体材料、非晶或微晶碳化硅半导体材料、或化合物半导体材料的光电转换部件...
【技术保护点】
一种具有层叠结构的光电元件，包括按顺序叠置的不含结晶相的第一半导体层、含近球形微晶相的第二半导体层和含柱形微晶相的第三半导体层，其中：所说第三半导体层侧上的所说第二半导体层的所说球形微晶相的平均尺寸大于所说第一半导体层侧上的所说第二层的所说球形微晶相的平均尺寸。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 1999-7-14 199846/19991.一种具有层叠结构的光电元件，包括按顺序叠置的不含结晶相的第一半导体层、含近球形微晶相的第二半导体层和含柱形微晶相的第三半导体层，其中所说第三半导体层侧上的所说第二半导体层的所说球形微晶相的平均尺寸大于所说第一半导体层侧上的所说第二层的所说球形微晶相的平均尺寸。2.根据权利要求1的光电元件，其中所说第一半导体层、所说第二半导体层和所说第三半导体层中的每一层都包括含氢硅材料、含氢硅锗材料、含氢碳化硅材料或这些材料的混合材料作为主要成分。3.一种具有层叠结构的光电元件，包括按顺序叠置的不含结晶相的第一半导体层、含近球形微晶相的第二半导体层和含柱形微晶相的第三半导体层，其中在所说第二半导体层的附近，所说第三半导体层具有包含相混合的近球形微晶相和柱形微晶相的层区。4.根据权利要求3的光电元件，其中所说第一半导体层、所说第二半导体层和所说第三半导体层中的每一层都包括含氢硅材料、含氢硅锗材料、含氢碳化硅材料或这些材料的混合材料作为主要成分。5.一种制造光电元件的方法，包括以下步骤(a)在基片上形成不含结晶相但含有要求量的掺杂元素的第一半导体层，(b)在所说第一半导体层上形成不含结晶相、也不含掺杂元素或含有少量掺杂元素的第二半导体层，以得到层状产品，(c)利用具有希望强度的激光束辐射，从所说第二半导体层侧激光退火所说层状产品，只微晶化所说第二半导体层，使之含近球形微晶相，从而使位于激光辐射侧的所说球形微晶相的平均尺寸大于位于所说第一半导体层侧上的所说球形微晶相的平均...
【专利技术属性】
技术研发人员：塩崎笃志，佐野雅史，狩谷俊光，近藤隆治，东川诚，
申请(专利权)人：佳能株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]
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