半导体存储元件的制造方法技术

本发明专利技术提供一种制造半导体存储元件、特别是ＤＲＡＭ或ＦＲＡＭ元件的方法，该半导体存储元件具有硅衬底、设置在所述衬底上的中间氧化物层（１）、由铁电材料制成或由具有高介电常数的材料制成并设置在所述中间氧化物层上的上层（３）、借助用穿孔掩模中的开口（５）进行的刻蚀引入的延伸到硅衬底和上层之间的接触孔，在预先步骤中形成该接触孔。对于穿孔掩模，使用由在高温下稳定的材料制成，以便在高温下精确稳定，因而可在该层上依次淀积Ｏ↓［３］／ＴＥＯＳ－ＳｉＯ↓［２］，而没有损伤该层。利用穿孔掩模对中间氧化物层（１）进行刻蚀，以便形成凹槽（８’）。在由此得到的结构上淀积由Ｏ↓［３］／ＴＥＯＳ－ＳｉＯ↓［２］制成的层。通过刻蚀，从凹槽（８’）底部去掉由Ｏ↓［３］／ＴＥＯＳ－ＳｉＯ↓［２］制成的层，然后为了形成直到与硅衬底的界面的接触孔，通过刻蚀降低凹槽（８’），露出后者。（*该技术在2020年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及制造用于半导体存储元件、特别是DRAM或FRAM元件的接触孔的方法，该半导体存储元件具有硅衬底、设置在所述衬底上的中间绝缘层、设置在所述中间绝缘层上并由铁电材料制成或由具有高介电常数的材料制成的上层。根据芯片设计或芯片布图，在大规模集成DRAM或FRAM中，当使用具有高介电常数的材料如BST(BST表示钛酸钡锶)和铁电材料如SBT(SBT表示钽酸锶铋)时，在接触孔的等离子体刻蚀期间需要穿过这些材料刻蚀到硅衬底。在这种情况下，为了防止对DRAM或FRAM的选定晶体管产生有害影响，必须避免在接触孔底部露出的单晶硅衬底的污染。为此，公知的是进行两个光刻工艺步骤或两个光刻级。在这种情况下，在第一光刻工艺步骤中，利用抗蚀剂掩模通过等离子体刻蚀在铁电层中形成窗口。在第二光刻工艺步骤中，利用新的、更小的抗蚀剂掩模将实际接触孔向下刻蚀到硅衬底。虽然该常规方法导致避免接触孔底部的污染，但是使用两个光刻工艺步骤或光刻级的量是很复杂的。DE4340419C2公开了一种制造具有其中形成接触孔的绝缘层的半导体器件的方法。在该公知方法中，在绝缘层上形成光刻胶穿孔掩模，并进行各向异性刻蚀以便形本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制造用于半导体存储元件、特别是ＤＲＡＭ或ＦＲＡＭ元件的接触孔的方法，该半导体存储元件具有硅衬底、设置在所述衬底上的中间绝缘层（１）、设置在所述中间绝缘层上并由铁电材料制成或由具有高介电常数的材料制成的上层（３），该方法包括以下步骤：在上层（３）上形成穿孔掩模，在后来淀积工艺期间呈现温度稳定性的材料用于穿孔掩模；利用穿孔掩模，向中间绝缘层（１）中刻蚀上层（３）和凹槽（８’），直到残余厚度（ｄ↓［０］）；在后来的淀积工艺中，在由此获得的包括穿孔掩模的结构上淀积由Ｏ↓［３］／ＴＥＯＳ－ＳｉＯ↓［２］制成的层；通过刻蚀，从凹槽（８’）的底部去掉由Ｏ↓［３］／ＴＥＯＳ－ＳｉＯ↓［２］制成的层；和为了...

【技术特征摘要】
DE 1999-7-27 19935130.91.一种制造用于半导体存储元件、特别是DRAM或FRAM元件的接触孔的方法，该半导体存储元件具有硅衬底、设置在所述衬底上的中间绝缘层(1)、设置在所述中间绝缘层上并由铁电材料制成或由具有高介电常数的材料制成的上层(3)，该方法包括以下步骤在上层(3)上形成穿孔掩模，在后来淀积工艺期间呈现温度稳定性的材料用于穿孔掩模；利用穿孔掩模，向中间绝缘层(1)中刻蚀上层(3)和凹槽(8’)，直到残余厚度(d0)；在后来的淀积工艺中，在由此获得的包括穿孔掩模的结构上淀积由O3/TEOS-SiO2制成的层；通过刻蚀，从凹槽(8’)的底部去掉由O3/TEOS-SiO2制成的层；和为...

【专利技术属性】
技术研发人员：M恩格哈德特，V维恩里奇，
申请(专利权)人：因芬尼昂技术股份公司，
类型：发明
国别省市：DE[德国]