高能体供给装置、结晶性膜的形成方法和薄膜电子装置的制造方法制造方法及图纸

公开了一种稳定地制造高质量的熔融结晶化膜的高能体供给装置，示出了结晶性膜的形成方法。本发明专利技术的熔融结晶化不污染高能体供给装置，并可控制结晶化膜表面的重组情况。同时通过反射能量体的再次利用来提高高能体的利用效率。（*该技术在2017年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及以激光照射装置为代表的高能体供给装置、使用该装置的结晶性膜的形成方法和使用这样得到的结晶性膜的薄膜电子装置的制造方法。
技术介绍
随着液晶显示(LCD)的大画面化和高清晰度化，其驱动方式从单纯的矩阵方式向有源矩阵方式发展，以便能显示大容量的信息。有源矩阵方式使得具有超过几十万象素的LCD成为可能，在每个象素中具有薄膜晶体管(TFT)等的开关元件。作为各种液晶显示的基板，使用可实现透射型显示的熔融石英板或玻璃等透明绝缘基板。作为这些TFT的有源层，一般使用非晶硅(a-Si)或多晶硅(poly-Si)等半导体膜。在不仅想用TFT形成象素开关元件，而且想用TFT形成至驱动电路为止的一体化时，工作速度快的多晶硅的使用是必不可少的。在将多晶硅膜作为有源层时，使用熔融石英板作为基板，通常用工序最高温度超过1000℃的称之为高温工艺的制造方法制成TFT。此时，多晶硅膜的迁移率值约从10cm2·V-1·s-1至100cm2·V-1·s-1。另一方面，由于在将非晶硅膜作为有源层时工序最高温度低至约400℃，因此使用普通的玻璃。非晶硅的迁移率值约从0.1cm2·V-1·s-1至1cm2本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种结晶性膜的形成方法，该方法包括在基板上形成半导体薄膜的第一工序和对该半导体薄膜的至少表面层进行结晶化的第二工序，其特征在于：在该第二工序中，在包含含有该半导体薄膜的构成元素的气体的环境气氛下使该半导体薄膜的至少表面层熔融来进行结晶化。

【技术特征摘要】
JP 1996-1-30 13539/96;JP 1996-3-6 49021/961.一种结晶性膜的形成方法，该方法包括在基板上形成半导体薄膜的第一工序和对该半导体薄膜的至少表面层进行结晶化的第二工序，其特征在于在该第二工序中，在包含含有该半导体薄膜的构成元素的气体的环境气氛下使该半导体薄膜的至少表面层熔融来进行结晶化。2.权利要求1所述的结晶性膜的形成方法，其特征在于在大气压以上的压力下进行所述第二工序。3.权利要求1至2所述之一的结晶性膜的形成方法，其特征在于所述含有该半导体薄膜的构成元素的气体是硅烷。4.权利要求1至2所述之一的结晶性膜的形成方法，其特征在于所述半导体薄膜是硅薄膜，所述含有该半导体薄膜的构成元素的气体是硅烷。5.权利要求1至4所述之一的结晶性膜的形成方法，其特征在于在所述第二工序中，对所述半导体薄膜供给高能体，使该半导体薄膜的至少表面产生熔融。6.权利要求5所述的结晶性膜的形成方法，其特征在于所述高能体是光。7.权利要求5所述的结晶性膜的形成方法，其特征在于所述高能体是激光。8.一种高能体供给装置，该装置至少包括生成高能体的生成源和向对象物质供给该高能体的供给室，其特征在于该供给室具有在该室内安置该对象物质的功能；在该供给室的一部分上安置将该高能体导入到该供给室内的导入窗；将该导入窗安置在对该对象物质供给高能体时该对象物质的构成物质几乎不附着的位置上。9.一种结晶性膜的形成方法，该方法包括在基板上形成薄膜的第一工序和对该薄膜供给高能体而使该薄膜的至少表面层进行结晶化的第二工序，其特征在于该第二工序在具有生成高能体的生成源和向该薄膜供给高能体的供给室的高能体供给装置中进行；将该薄膜安置在该供给室内；在该供给室的一部分上安置将该高能体导入到该供给室内的导入窗；在将该导入窗安置在对该薄膜供给高能体时该薄膜的构成物质几乎不附着的位置上的状态下，对该薄膜供给该高能体。10.权利要求9所述的结晶性膜的形成方法，其特征在于所述薄膜是半导体薄膜。11.权利要求9所述的结晶性膜的形成方法，其特征在于所述薄膜是金属薄膜。12.权利要求9至11之一所述的结晶性膜的形成方法，其特征在于所述高能体是光。13.一种高能体供给装置，该装置至少包括生成高能体的生成源和向对象物质供给高能体的供给室，其特征在于该供给室具有在该室内安置该对象物质的功能；在该供给室的壁面的一部分上安置将该高能体导入到该供给室内的导入窗；该导入窗与该对象物质的距离也大于该壁面与该对象物质的最近距离。14.一种结晶性膜的形成方法，该方法包括在基板上形成薄膜的第一工序和对该薄膜供给高能体而使该薄膜的至少表面层进行结晶化的第二工序，其特征在于该第二工序在具有生成该高能体的生成源和向该薄膜供给该高能体的供给室的高能体供给装置中进行；将该薄膜安置在该供给室内；在该供给室的壁面的一部分上安置将该高能体导入到该供给室内的导入窗；在该导入窗与该薄膜的距离也大于该壁面与该薄膜的最近距离的状态下对该薄膜供给该高能体。15.权利要求14所述的结晶性膜的形成方法，其特征在于所述薄膜是半导体薄膜。16.权利要求14所述的结晶性膜的形成方法，其特征在于所述薄膜是金属薄膜。17.权利要求14至16之一所述的结晶性膜的形成方法，其特征在于所述高能体是光。18.一种高能体供给装置，该装置至少包括生成高能体的生成源和向对象物质供给高能体的供给室，其特征在于该供给室具有在该室内安置该对象物质的功能；在该供给室的壁面的一部分上安置将该高能体导入到该供给室内的导入窗；具有压力调整装置，可使该供给室内的该导入窗附近的压力高于该对象物质附近的压力。19.一种结晶性膜的形成方法，该方法包括在基板上形成该薄膜的第一工序和对该薄膜供给高能体而使该薄膜的至少表面层进行结晶化的第二工序，其特征在于该第二工序在具有生成该高能体的生成源和向对象物质供给该高能体的供给室的高能体供给装置中进行；将该薄膜安置在该供给室内；在该供给室的壁面的一部分上安置将该高能体导入到该供给室内的导入窗；在该供给室内的该导入窗附近的压力大于该薄膜附近的压力的状态下对该薄膜供给该高能体。20.权利要求19所述的结晶性膜的形成方法，其特征在于所述薄膜是半导体薄膜。21.权利要求19所述的结晶性膜的形成方法，其特征在于所述薄膜是金属薄膜。22.权利要求19至21之一所述的结晶性膜的形成方法，其特征在于所述高能体是光。23.一种高能体供给装置，该装置至少包括生成高能体的生成源和向对象物质供给高能体的供给室，其特征在于该供给室具有在该室内安置该对象物质的功能；在该供给室的壁面的一部分上安置将该高能体导入到该供给室内的导入窗和抽除该供给室内的气体的排气孔；具有压力调整装置，可使该供给室内的该导入窗附近的压力大于该对象物质附近的压力，并使该对象物质附近的压力大于该排气孔附近的压力。24.一种结晶性膜的形成方法，该方法包括在基板上形成该薄膜的第一工序和对该薄膜供给高能体而使该薄膜的至少表面层进行结晶化的第二工序，其特征在于该第二工序在具有生成该高能体的生成源和向该薄膜供给该高能体的供给室的高能体供给装置中进行；将该薄膜安置在该供给室内；在该供给室的壁面的一部分上安置将该高能体导入到该供给室内的导入窗和抽除该供给室内的气体的排气孔；在该供给室内的该导入窗附近的压力大于该薄膜附近的压力，并使该对象物质附近的压力大于该排气孔附近的压力的状态下对该薄膜供给该高能体。25.权利要求24所述的结晶性膜的形成方法，其特征在于所述薄膜是半导体薄膜。26.权利要求24所述的结晶性膜的形成方法，其特征在于所述薄膜是金属薄膜。27.权利要求24至26之一所述的结晶性...

【专利技术属性】
技术研发人员：阿部裕幸，宫坂光敏，
申请(专利权)人：精工爱普生株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]