【技术实现步骤摘要】
本专利技术是关于一种静态随机存取存储器的存储单元，特别是一种非易失性静态随机存取存储器的存储单元。而在半导体的存储器中通常使用一个由储存单元(cell)所形成的数组，每一单元可储存一位的数据。当需要时可以随意地将数据存放到每个储存单元中或自其取出，所以这种存储器又称为随机存取存储器(RandomAccess Memory，RAM)，有别于只读存储器(Read Only Memory，ROM)。RAM的主要优点在于矩阵中任一位的存取时间都相同，但其缺点是当电源消失时，所有的数据都会遗失，这种情形被形容为易失性(volatile)，也就是说电源一关掉，存放在RAM中的数据就消失了。而存放在ROM中的数据可以一直保存，不因电源关闭而消失。所以ROM也被称为非易失性存储器(Nonvolatile Memory)。因此，依据存储器的储存特性可分为易失性(volatile)及非易失性(nonvolatile)存储器两类，其最大的差别便在电源关闭后，非易失性存储器的存储数据仍能持续被保存。易失性存储器以静态随机存取存储器(SRAM)与动态随机存取存储(DRAM)为代表，非...
【技术保护点】
一种非易失性静态随机存取存储器存储单元，其特征在于包括有： 一静态随机存取单元，用以进行接收１位的数据、暂时保存该１位数据，并且传送该１位数据的正常操作；及 一非易失性存储单元，与该静态随机存取存储单元连接，用以在电源消失前，储存该静态随机存取单元中１位的数据（储存操作），在电源消失后，保持该１位元数据（保存操作），待电源重新供应后，回复该一位元数据至该静态随机存取单元中（回复操作），并在回复操作完成后，将数据自该非易失性存储单元中清除（清除操作）。
【技术特征摘要】
1.一种非易失性静态随机存取存储器存储单元，其特征在于包括有一静态随机存取单元，用以进行接收1位的数据、暂时保存该1位数据，并且传送该1位数据的正常操作；及一非易失性存储单元，与该静态随机存取存储单元连接，用以在电源消失前，储存该静态随机存取单元中1位的数据(储存操作)，在电源消失后，保持该1位元数据(保存操作)，待电源重新供应后，回复该一位元数据至该静态随机存取单元中(回复操作)，并在回复操作完成后，将数据自该非易失性存储单元中清除(清除操作)。2.如权利要求1所述的非易失性静态随机存取记忆体存储单元，其特征在于该静态随机存取单元中更包含有一对反向器以及两个N沟道金氧半场效晶体管，该的栅极各连接有一字线。3.如权利要求1所述的非易失性静态随机存取记忆体存储单元，其特征在于该非易失性存储单元更包含有两个分裂栅型晶体管。4.如权利要求1所述的非易失性静态随机存取记忆体存储单元，其特征在于该清除操作时，该分裂栅型晶体管的控制栅的电压为小于0伏特的负电压，该分裂栅型电晶体的源极电压为大于5伏特的高电压。5.如权利要求1所述的非易失性静态随机存取记忆体存储单元，其特征在于该静态随机存取单元正常操作时，该分裂栅型晶体管的控制栅的电压为0伏特，该分裂栅型晶体管的源极为源极电压为0伏特与浮接其中之一。6.如权利要求1所述的非易失性静态随机存取记忆体存储单元，其特征在于储存操作时，该分裂栅型晶体管的控制栅的电压大于该分裂栅型晶体管源极的电压。7.如权利要求1所述的非易失性静态随机存取记忆体存储单元，其特征在于回复操作时，该分裂栅型晶体管的控制栅的电压等于...
【专利技术属性】
技术研发人员：廖修汉，杨鸿铭，
申请(专利权)人：连邦科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]
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