虚拟NOR型闪存制造技术

一种虚拟ＮＯＲ型闪存，一静态随机存储器，用以作为高速缓存；一ＮＡＮＤ型闪存，用以储存一程序与数据；以及一快取控制电路，通过一ＮＯＲ型闪存接口与外部系统进行数据传递与沟通，并与该静态随机存储器以及该ＮＡＮＤ型闪存相接，用以将一时脉周期中的一第一读取命令转换成一第二读取命令，以读取储存于该静态随机存储器中快取数据，将一第一写入命令转换成一第二写入命令，以将数据写入该ＮＡＮＤ型闪存中，将一第一移除命令转换成一第二移除命令，以将数据自该ＮＡＮＤ型闪存中移除。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种闪存(Flash Memory)，特别是一种虚拟NOR型闪存于行动电话、计算机、个人数字助理、手持式计算机等的电子设备或信息处理装置。
技术介绍
就闪存(Flash Memory)的结构而言，一般可分成分成NOR与NAND两大结构，其技术特色有些差异，分别说明如下。NOR型闪存又称为程序转换型闪存，这是由英特尔(Intel)所发展的结构，写入速度慢，读取速度较快，而且可在单位区块(Block)上进行指令程序的读取/写入，其特性为高电压、较长的抹除时间以及较大量的抹除区块。此类型产品大都应用在程序指令的储存与读取/写入以及PC记忆卡。然而其具有成本以及容量的问题。NAND型闪存又称为数据存取型闪存，由日本东芝(Toshiba)所发展的结构，读写数据速度较慢，但具有较小记忆面积(MemoryCell)，在相同密度下，成本较NOR Type Flash低。适用于更高容量的产品开发及大量储存装置上，可用以替代磁盘驱动器在可携式市场的地位，或做为消费性电子产品数据储存用。目前许多使用NOR型闪存的结构如图1所示，为习知使用NOR型闪存的方块图，其存储器结构主要包括NOR型本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种虚拟ＮＯＲ型闪存，用以根据一ＮＯＲ型闪存的时脉周期进行一读取操作、写入操作或移除操作，其特征在于，该存储器包括有：一静态随机存储器，用以作为高速缓存；一ＮＡＮＤ型闪存，用以储存一程序与数据；以及一快取控制电路，通 过一ＮＯＲ型闪存接口与外部系统进行数据传递与沟通，并与该静态随机存储器以及该ＮＡＮＤ型闪存相接，用以将一时脉周期中的一第一读取命令转换成一第二读取命令，以读取储存于该静态随机存储器中快取数据，将一第一写入命令转换成一第二写入命令，以将数据写入该ＮＡＮＤ型闪存中，将一第一移除命令转换成一第二移除命令，以将数据自该ＮＡＮＤ型闪存中移除。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：崔开平，梅林天，
申请(专利权)人：连邦科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]