【技术实现步骤摘要】
本专利技术是有关一种半导体制造方法技术,特别是关于一种包含提升的源/漏极(raised source/drain)和自行对准金属硅化物(self-aligned silicide,Salicide)制造方法,并可改善硅磊晶层中的晶格缺陷的半导体组件制造方法。已知在制作提升的源/漏极和自行对准金属硅化物等组件的半导体制造方法步骤是参阅附图说明图1(a)至图1(c)所示。首先如图1(a)所示,在一半导体基底10中先形成有浅沟渠隔离区域(shallow trench isolation,STI)12及一晶体管栅极结构14,其是由一栅极氧化层142及一多晶硅层144组成;再以栅极结构14为屏蔽,进行较低能量的第一次离子布植,在半导体基底10中形成一源/漏极轻掺杂区域16;然后于栅极结构14侧壁形成栅极间隙壁18后,利用磊晶法(epitaxy)选择性的成长硅磊晶层20于源/漏极区表面,以形成提升的源/漏极结构;之后再进行较高能量的第二次离子布植形成源/漏极重掺杂区域22。当晶体管栅极结构14及提升的源/漏极结构22均完成后,随即进行自行对准金属硅化物的制造方法,此时,如图1(b)所示,接续在半导体基底10上沉积一钛金属层24,利用氮离子对钛金属层24进行离子布植,以使部份的钛金属转变成氮化钛而形成氮化钛层26。接着,对该钛金属层24进行低温回火,以使其与下方的栅极结构14与源/漏极结构22上硅磊晶层20的硅反应成钛金属硅化物28。在形成钛金属硅化物28之后,利用湿蚀刻法去除氮化钛层26与部份未反应成钛金属硅化物28的钛金属层24,请参阅图1(c)所示,最后对此 ...
【技术保护点】
一种改善硅磊晶层中晶格缺陷的半导体组件制造方法,其特征是包括下列步骤: 提供一半导体基底,其内是形成有隔离区域; 在该半导体基底上形成一栅极结构,包含一栅极氧化层及其上方的多晶硅层; 以该栅极结构为屏蔽,进行一低浓度的离子布植,在该半导体基底内形成源/漏极的轻掺杂区域; 于该栅极结构侧壁形成有栅极间隙壁; 进行热回火处理,以重整该半导体基底表面的硅晶格并去除金属不纯物; 进行一去除金属不纯物的清洗; 在该栅极结构及该源/漏极上成长一硅磊晶层,以形成提升的源/漏极结构;以及 以该栅极结构与栅极间隙壁为屏蔽,对该半导体基底进行一高浓度离子布植,以形成源/漏极的重掺杂区域。
【技术特征摘要】
1.一种改善硅磊晶层中晶格缺陷的半导体组件制造方法,其特征是包括下列步骤提供一半导体基底,其内是形成有隔离区域;在该半导体基底上形成一栅极结构,包含一栅极氧化层及其上方的多晶硅层;以该栅极结构为屏蔽,进行一低浓度的离子布植,在该半导体基底内形成源/漏极的轻掺杂区域;于该栅极结构侧壁形成有栅极间隙壁;进行热回火处理,以重整该半导体基底表面的硅晶格并去除金属不纯物;进行一去除金属不纯物的清洗;在该栅极结构及该源/漏极上成长一硅磊晶层,以形成提升的源/漏极结构;以及以该栅极结构与栅极间隙壁为屏蔽,对该半导体基底进行一高浓度离子布植,以形成源/漏极的重掺杂区域。2.根据权利要求1所述的半导体组件制造方法,其特征是在形成该源/漏极的重掺杂区域后,更可进行自行对准金属硅化物的制造方法,其是包含下列步骤于该半导体基底上沉积一金属层;对该金属层进行氮离子的布植,使部份该金属层转变成氮化金属层;对该半导体基底进行热回火,使与该栅极结构与源/漏极的硅磊晶层相接触的部份该金属层转变成金属硅化物;去除该氮化金属层及未反应成金属硅化物的该金属层;以及对该金属硅化物进行热回火。3.根据权利要求2所述的半导体组件制造方法,其特征是该金属层是为钛金属层。4.根据权利要求1所述的半导体组件制造方法,其特征是该隔离区域是为浅沟渠隔离区域。5.根据权利要求1所述的半导体组件制造方法,其特征是在该轻掺杂区域形成后,且于形成硅磊晶层之前,该热回火高温活化处理是以大于摄氏750度的炉管回火,其中该炉管通有包含氢、氯的化合物或是氯化氢、反式1,2二氯乙烯、三氯乙烷、三氯乙烯等气体,以彻底清除包含金属离子在内的不纯物。6.根据权利要求1所述的半导体组件制造方法,其特征是该金属不纯物的清洗是利用氯化氢/过氧化氢/水的酸碱性溶液进行清洗。7.根据权利要求1所述的半导体组件制造方法,其特征是该硅磊晶层的成长方法是利用磊晶法完成者。8.根据权利要求1所述的半导体组件制造方法,其特征是该硅磊晶层的厚度是介于350埃至2000埃之间。9.根据权利要求1所述的半导体组件制造方法,其特征是该硅磊晶层的成长是于一磊晶反应炉中进行,并在摄氏800-900度的二氯硅烷及氯化氢的环境中进行。10.根据权利要求1所述的半导体组件制造方法,其特征是该栅极间隙壁是包含一氧化硅层及一氮化硅层。11.一种改善硅...
【专利技术属性】
技术研发人员:高荣正,
申请(专利权)人:上海宏力半导体制造有限公司,
类型:发明
国别省市:31[中国|上海]
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