【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于半导体
，具体地说是有关超小型(Small Size)、超薄型(Thin Thichness)发光二极管的。更详细讲，它是把InGaN/GaN发光二极管芯片(Chip)直接贴片于镀银的引线框架Die PAD Cup上，充分利用银的反向率，提高超小型封装(Package)LED光亮度的有关封装(Package)结构的专利技术。
技术介绍
一般来讲，光半导体器件是利用半导体光电转换特性，传递光电信号的产品。光半导体器件区分于象发光二极管将电信号转换为光信号后，向前方发射光的发光器件(350nm-990nm)和接收光信号并转换为电气信号的光敏器件(光敏三极管、光敏二极管、光敏IC等)。这些光半导体器件由形成PN结的参杂物的种类及浓度、PN结结构的不同，可制作由紫外光(UVLight)到可视光(Visual Light)、红外光(Infra Red Light)的各种发光波长的制品。可视发光二极管是利用P-N结的注入型电致发光特性的发光器件。可视发光二极管发光所需电压非常低，而且使用寿命长，因而广泛应用于固体显示器件及画像显示器件。这些可视光光半导体...
【技术保护点】
一种高亮度超薄光半导体器件，其特征是：把面发光芯片（Ｃｈｉｐ）（Ａ）（ＩｎＧａｎ／ＧａＮ ＬＥＤＣｈｉｐ）用绝缘透光芯片胶粘剂（Ｅ）（ＵＶＣｕｒｅ）用胶粘剂，绝缘透明胶粘剂）胶粘于引线框架的ＤｉｅＰＡＤＣｕｐ上，并把从面 发光芯片发射的光束中使反方向发射的光束透过绝缘透光环氧树脂胶粘剂后，被反射率高的镀有Ａｇ的ＤｉｅＰＡＤＣＵＰ反射回来，实现向所要发射的方向，发射出更多的光束，所以能够得到更高亮度的超小型、超轻薄型ＳＭＤＴｙｐｅ的ＣｈｉｐＬＥ Ｄ光半导体器件。
【技术特征摘要】
1.一种高亮度超薄光半导体器件，其特征是把面发光芯片(Chip)(A)(InGan/GaN LED Chip)用绝缘透光芯片胶粘剂(E)(UV Cure)用胶粘剂，绝缘透明胶粘剂)胶粘于引线框架的Die PAD Cup上，并把从面发光芯片发射的光束中使反方向发射的光束透过绝缘透光环氧树脂胶粘剂后，被反射率高的镀有Ag的Die PAD CUP反射回来，实现向所要发射的方向，发射出更多的光束，所以能够得到更高亮度的超小型、超轻薄型SMD Type的Chip LED光半导体器件。2.如权利要求1所述的高亮度超薄光半导体器件，其特征是由光...
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