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本发明公开了一种高亮度超薄光半导体器件，其主要技术特点是：把面发光芯片（Ｃｈｉｐ）（Ａ）（ＩｎＧａｎ／ＧａＮＬＥＤＣｈｉｐ）用绝缘透光芯片胶粘剂（Ｅ）（ＵＶＣｕｒｅ）用胶粘剂，绝缘透明胶粘剂）胶粘于引线框架的ＤｉｅＰＡＤＣｕｐ上，并...
该专利属于陈洪花所有，仅供学习研究参考，未经过陈洪花授权不得商用。

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