【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及半导体加工领域。特别是，本专利技术涉及用于传送衬底通过半导体处理系统的设备和方法，其中该设备和方法包括温度控制装置。此外，本专利技术还涉及用于传送衬底通过半导体处理系统以产生多晶硅膜的设备和方法。 相关
技术介绍
在半导体工业中，一般有两种传送衬底通过处理系统的基本方法。一种传统的方法采用“成组工具”结构，如附图说明图1所示。成组工具台一般指的是模制、多室集成处理系统。这种类型的处理系统通常包括中心晶片控制真空室20、32和一般围绕中心室成组设置的大量周边处理室24、26、28和36。用于处理的多个衬底或晶片22一般储存在盒子10中，并且从负载锁定装置12、14进行装载/卸载并在真空下在各种处理室中被处理而不会暴露于环境条件下。用于处理的晶片22的传送一般由晶片控制真空室20中的中心机械手16或第二晶片控制真空室32中的机械手30管理，这两个机械手一般都保持在真空条件下。提供微处理器控制器38及其相关软件以控制晶片的处理和移动。在操作中，成组工具结构一般从盒子10接收衬底并通过中心晶片控制室20、32和周边处理室24、26、28和36的预定序列处...
【技术保护点】
一种用于处理至少一个衬底的设备，该设备包括：用于在处理环境内传送衬底的至少一个衬底承载部件；选择地与至少一个衬底承载部件连通的至少一个温度控制板；和在处理环境中靠近至少一个衬底承载部件的处理路径设置的至少一个淀积装置 ，该至少一个淀积装置构成为在衬底上淀积选择的膜。
【技术特征摘要】
US 2001-1-3 09/753,4241.一种用于处理至少一个衬底的设备，该设备包括用于在处理环境内传送衬底的至少一个衬底承载部件；选择地与至少一个衬底承载部件连通的至少一个温度控制板；和在处理环境中靠近至少一个衬底承载部件的处理路径设置的至少一个淀积装置，该至少一个淀积装置构成为在衬底上淀积选择的膜。2.根据权利要求1的设备，其中至少一个衬底承载部件还包括基本上平面的衬底安放部件，该安放部件具有形成在其中的多个孔和形成在其上的衬底安放表面；和设置在安放部件的下表面上的驱动接合部件。3.根据权利要求1的设备，其中至少一个衬底承载部件构成为在处理环境中的第一点和处理环境中的第二点之间传送衬底。4.根据权利要求1的设备，其中至少一个温度控制板还包括具有形成在其中的第一加热装置和冷却装置的至少一个的板；和从板的接合表面延伸的多个细长针部件，该细长部件构成为协作地接合形成在至少一个衬底承载部件中的多个孔。5.根据权利要求4的设备，其中第一加热装置还包括与热电偶连通的至少一个加热器。6.根据权利要求4的设备，其中冷却装置还包括形成在板中的流体通道，该流体通道具有流体输入端和流体输出端。7.根据权利要求4的设备，其中接合表面还包括喷丸表面和阳极化表面的至少一个表面。8.根据权利要求1的设备，其中该设备还包括设置在处理环境内用于给衬底退火的第二加热装置。9.根据权利要求8的设备，其中第二加热装置还包括一个激光器光源。10.根据权利要求9的设备，其中激光器光源还包括准分子激光器。11.根据权利要求1的设备，其中至少一个温度控制板与至少一个衬底承载部件热连通。12.一种用于处理至少一个衬底的方法，该方法包括在至少一个衬底传送装置上将衬底传送到处理环境；在处理环境内将衬底传送到衬底承载部件上；用一个或多个温度控制板控制衬底承载部件的温度；将其上具有衬底的衬底承载部件传送通过处理环境中的至少一个处理区；和将衬底从衬底承载部件传送到至少一个衬底传送装置，用于从处理环境取出。13.根据权利要求12的方法，其中将衬底传送到衬底承载部件进一步包括在选择移动板上方设置至少一个衬底传送装置，该选择移动板具有从其延伸的多个细长部件；在选择移动板和至少一个衬底传送装置之间设置衬底承载部件，该衬底承载部件具有形成在其中的多个孔；将选择移动板升高，以便从其延伸的多个细长部件同时接合形成在衬底承载部件中的多个孔，并部分地穿过它延伸以接合并升高至少一个衬底传送装置的衬底；至少一个衬底传送装置从处理环境返回；和降低选择移动板，以便延伸穿过形成在衬底承载部件中的多个孔的多个细长部件返回，由此将衬底放在衬底承载部件上。14.根据权利要求13的方法，其中衬底承载部件的温度控制还包括加热选择移动板和冷却选择移动板的至少一个步骤，以便在选择移动板和衬底承载部件接触期间在其间传递热能。15.根据权利要求14的方法，其中加热选择移动板还包括通过设置在选择移动板内的至少一个电阻元件加热器使电能通过。16.根据权利要求14的方法，其中冷却选择移动板包括使流体通...
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