【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及具有存储单元的磁随机存取存储器，该存储单元使用了利用磁阻效应进行数据存储的磁阻元件。
技术介绍
所谓磁随机存取存储器(以下简称MRAM)，是利用作为信息的记录载体的强磁性体的磁化方向，能随时改写、保持、读出记录信息的固体存储器的总称。MRAM存储单元通常具有层叠了多个强磁性体的结构。使构成存储单元的多个强磁性体的磁化方向的相对配置呈平行、或反平行对应于二进制的“1”、“0”，来进行信息的记录。利用呈十字状交叉配置的写入线中流过电流产生的电流磁场，使各单元的强磁性体的磁化方向反转，进行记录信息的写入。该MRAM存储单元是记录保持时的功耗在原理上为零，即使切断电源，也能进行记录保持的非易失性存储器。利用使存储单元的电阻随着构成单元的强磁性体的磁化方向和读出电流的相对角、或多个强磁性层之间的磁化方向的相对角的变化而变化的现象，即所谓的磁阻效应，进行记录信息的读出。如果与现有的使用电介质的半导体存储器及其功能进行比较，则MRAM具有下述的(1)～(3)所示的多个优点。(1)完全的非易失性，还能进行1015以上次数的改写。(2)能进行非破坏读出，由于不需要...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种磁随机存取存储器，其特征在于包括存储数据的磁阻元件；有选择地将磁场施加在上述磁阻元件上的电流驱动线；以及保持来自上述电流驱动线的磁场的磁回路，上述电流驱动线具有与上述磁阻元件相对的第一面；与上述第一面相反一侧的第二面；以及上述第一及第二面之间的两个侧面，上述磁回路具有以使上述电流驱动线的上述第一及第二面侧开放的方式，基本上由沿着上述电流驱动线的上述两个侧面延伸的强磁性材料构成的一对板构件。2.根据权利要求1所述的磁随机存取存储器，其特征在于上述一对板构件基本上由具有高磁导率的软磁性材料构成。3.根据权利要求1所述的磁随机存取存储器，其特征在于上述一对板构件分别具有比上述电流驱动线的上述第一及第二面之间的距离大的高度。4.根据权利要求1所述的磁随机存取存储器，其特征在于上述一对板构件利用绝缘层与上述电流驱动线进行电气绝缘。5.根据权利要求1所述的磁随机存取存储器，其特征在于上述电流驱动线的上述第二面电连接在上述磁阻元件上。6.根据权利要求1所述的磁随机存取存储器，其特征在于上述电流驱动线的上述第二面利用绝缘层与上述磁阻元件进行电气绝缘。7.根据权利要求1所述的磁随机存取存储器，其特征在于上述第一及第二面之间的距离对上述电流驱动线的上述两个侧面之间的距离的比为1以上。8.根据权利要求1所述的磁随机存取存储器，其特征在于上述磁阻元件、上述电流驱动线、以及上述磁回路分别具有相邻的一对磁阻元件、一对电流驱动线、以及一对磁回路，且位于上述一对电流驱动线之间的上述一对磁回路相邻的两个板构件形成位于上述一对电流驱动线之间的大致中央的隔壁。9.根据权利要求8所述的磁随机存取存储器，其特征在于在上述相邻的两个板构件之间夹着绝缘层。10.根据权利...
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