具有不对称包覆导体的磁随机存取存储器制造技术

一种用于包括磁场敏感型存储单元１０的磁存储器件的不对称覆层结构，它包括：　　　　第一导体１１，它沿长度方向Ｌ↓［Ｄ］跨过所述存储单元１０，并且包括顶面１１ｔ、两个侧面１１ｓ以及面对所述存储单元１０放置的底面１１ｂ；　　　　第一不对称覆层１３，它与所述顶面１１ｔ和所述两个侧面１１ｓ的仅仅一部分相连，并且包括沿所述两个侧面１１ｓ凹进且与所述存储单元１０偏离第一距离Ｄ１的第一对极端１３ｐ；以及　　　　第二导体１５，它沿宽度方向Ｗ↓［Ｄ］跨过所述存储单元１０，并包括顶面１５ｔ、两个侧面１５ｓ以及面对所述存储单元１０放置的底面１５ｂ。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术一般涉及磁存储器件，器件中至少有一个导体包括不对称覆层。更具体地说，本专利技术涉及一种磁存储器件，其中至少有一个导体包括凹进的不对称覆层，在提供反转磁场增强的同时，将对磁存储单元的数据层的反转特性的不良影响降到最低。
技术介绍
磁随机存取存储器(MRAM)是一项新兴的技术，可以为传统数据存储或存储器技术提供替代方案。MRAM具有所需的属性，比如象DRAM那样的快速存取时间和象硬盘驱动器那样的非易失性数据保持。MRAM将一位数据(即信息)以可变磁化取向的形式存储在形成图案的薄膜磁性元件中，该元件称为数据层、存储层、自由层或数据薄膜。数据层设计为具有定义二进制一(“1”)和二进制零(“0”)的两种稳定且不同的磁性状态。虽然该位数据存储在数据层，但需要许多精心控制的磁性和电介质薄膜材料层以形成完整的磁性存储单元。磁性存储单元的一种重要形式是自旋隧道效应器件。自旋隧道效应的物理原理复杂，关于此主题有好的文章。在图1a中，先有技术的MRAM存储单元101包括由薄的阻挡层106隔开的数据层102和参考层104。阻挡层106的厚度一般在大约2.0nm以内。存储单元101具有宽度W和长本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于包括磁场敏感型存储单元10的磁存储器件的不对称覆层结构，它包括第一导体11，它沿长度方向LD跨过所述存储单元10，并且包括顶面11t、两个侧面11s以及面对所述存储单元10放置的底面11b；第一不对称覆层13，它与所述顶面11t和所述两个侧面11s的仅仅一部分相连，并且包括沿所述两个侧面11s凹进且与所述存储单元10偏离第一距离D1的第一对极端13p；以及第二导体15，它沿宽度方向WD跨过所述存储单元10，并包括顶面15t、两个侧面15s以及面对所述存储单元10放置的底面15b。2.如权利要求1所述的不对称覆层结构，其特征在于，所述长度方向LD实质上与所述存储单元10的长L1正交，所述宽度方向WD实质上与所述存储单元10的宽W1正交，并且所述宽度W1与所述长度L1之比定义纵横比AR。3.如权利要求2所述的不对称覆层结构，其特征在于，所述纵横比AR在大约1.0到大约1.6的范围内。4.如权利要求1所述的不对称覆层结构，其特征在于，所述第一偏距D1是从由以下各项组成的组中选择的距离所述第一对极端13p与所述第一导体11的所述底面11b之间的距离以及所述第一对极端13p与所述存储单元10上的预定点之间的距离T1。5.如权利要求4所述的不对称覆层结构，其特征在于，所述存储单元10上的所述预定点包括所述存储单元10的数据层2。6.如权利要求1所述的不对称覆层结构，其特征在于，所述长度方向LD实质上与所述存储单元10的易磁化轴e对准，而且所述宽度方向WD实质上与所述存储单元10的难磁化轴h对准。7.如权利要求1所述的不对称覆层结构，其特征在于，所述第二导体15还包括第二对称覆层16，所述覆层与所述顶面15t和完整的所述两个侧面15s相连，并且包括实质上与所述底面15b齐平的一对极端16p。8.如权利要求1所述的不对称覆层结构，其特征在于，所述第一导体11横向移位(±Y)，使得所述第一导体11不以所述存储单元10为中心C对称放置。9.如权利要求1所述的不对称覆层结构，其特征在于，所述第一不对称覆层13还包括沿所述两个侧面11s的第一厚度t1和沿所述顶面11t的第二厚度t2，并且所述第一厚度t1是不等于所述第二厚度t2或者大于所述第二厚度t2的一个选定厚度。10.如权利要求9所述的不对称覆层结构，其特征在于，所述第一厚度t1在所述第二厚度t2的大约1.2倍到大约2.0倍的范围内。11.如权利要求1所述的不对称覆层结构，其特征在于还包括第二不对称覆层17，所述覆层与所述第二导体15的所述顶面15t和所述两个侧面15s的仅一部分相连，并且包括沿所述第二导体15的所述两个侧面...

【专利技术属性】
技术研发人员：M·K·巴塔查里亚，T·C·安东尼，
申请(专利权)人：三星电子株式会社，
类型：发明
国别省市：