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一种用于包括磁场敏感型存储单元１０的磁存储器件的不对称覆层结构，它包括：　　　　第一导体１１，它沿长度方向Ｌ↓［Ｄ］跨过所述存储单元１０，并且包括顶面１１ｔ、两个侧面１１ｓ以及面对所述存储单元１０放置的底面１１ｂ；　　　　第一不对称覆层１３...
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