【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及从衬底表面去除残留物的领域，特别是涉及从例如集成电路和半导体晶片的电子部件衬底去除残留材料。
技术介绍
集成电路利用半导体衬底形成，在半导体衬底表面内和上面形成电阻、晶体管、二极管、金属线、通孔以及其它电路部件。该些电路部件被从内部和外部连接到半导体衬底，在半导体衬底上该些电路部件通过彼此由介质层隔开的图案化的导体层来形成。在集成电路制造技术中，普遍的是形成贯穿介质层的通孔和其他的孔，使得可以在由介质层隔开的图案化的导体层和电路部件间形成导电连接。在集成电路中介质层内部的和/或贯穿介质层的通孔和其他的孔可以通过光刻方法和后续的蚀刻方法来形成，所述的蚀刻方法包括但不局限于湿法化学蚀刻法、反应离子蚀刻(RIE)法以及干法等离子蚀刻法。通常，各种层的移除是通过使用液态或气态蚀刻剂来完成的。如果反应产物是流体，这些反应产物容易从反应位置被移除，因此蚀刻可以以均匀的速率进行。但是，在某些情况下，反应产物是不可溶的固体，即使在最有利的情况下难以移除。这种蚀刻剂的作用只是破坏或恶化所述的层的表面附近的完整性，而且在不采用其它措施的情况下，是不能有效地起到蚀刻剂...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种从电子部件衬底去除固体和/或液体残留物的方法，包括以下步骤提供压力容器；在所述容器中提供包括所要从中去除的残留物的半导体衬底；在一压力和温度条件下在所述容器中提供一材料，使得所述材料为液体或者处于临界压力和温度以上，使得所述材料为超临界流体；降低衬底表面温度，使得接触衬底表面的所述材料在衬底表面上转变成固态；改变所述容器内的温度和/或压力，使得所述容器内的所述材料转变成液态和/或气态；从所述容器中去除所述材料；以及从所述容器中移除所述半导体衬底。2.如权利要求1所述的方法，其中所述材料包括二氧化碳材料。3.如权利要求2所述的方法，其中所述二氧化碳材料包括表面活化剂。4.如权利要求2所述的方法，其中所述二氧化碳材料以与Ar、NH3、CH4、CHF3、C2H6、n-C3H8、H2O和N2O中的一个或多个的混合物的形式来使用。5.如权利要求2所述的方法，其中所述二氧化碳材料处于超临界状态。6.如权利要求1所述的方法，其中降低衬底表面温度...
【专利技术属性】
技术研发人员：约翰·M·科特，凯瑟琳·艾弗斯，肯尼思·J·麦卡洛，韦恩·M·莫罗，罗伯特·J·珀特尔，约翰·P·西蒙斯，威廉·A·赛弗森，查尔斯·J·塔夫特，
申请(专利权)人：国际商业机器公司，
类型：发明
国别省市：
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