一种厚膜图形化绝缘体上的硅材料的制备方法技术

一种厚膜图形化ＳＯＩ材料的制备方法，先采用ＳＩＭＯＸ技术在体硅中注氧隔离形成薄膜图形化ＳＯＩ材料，其特征在于然后利用ＣＶＤ气相外延生长方法在衬底的表层形成单晶硅薄膜、锗硅薄膜或砷化镓薄膜中的一种。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术提出了一种厚膜图形化绝缘体上的硅(SOI)材料的制备方法，为微电子机械系统(MEMS)和微光电子机械系统(MOEMS)集成提供衬底材料，属于微电子

技术介绍
微电子技术中的硅集成电路制造工艺是高度集成和高度成熟的工艺。在微电子技术的带动下，为了与硅集成电路制造工艺相结合，硅基微机械加工技术，硅基集成光学都得到了飞速发展，并与硅基微电子技术相结合形成了MEMS和MOEMS技术。在硅衬底上进行MOEMS集成一直是人们追求的一个目标。近年来，随着超大规模集成电路(VLSI)工业的发展，SOI技术由于其独特的优越性显示出越来越重要的作用。SOI材料除了在低压低功耗、抗辐照、耐高温等集成电路中得到广泛应用外，在MEMS和硅基光学器件中也有重要的应用。但是并不是所有器件都可以或适合制造在SOI衬底上，如大功率器件要散热好和耐高压，更适合制造在体硅区域。有些器件或电路在SOI衬底上的制造工艺还不成熟，如射频电路、动态随机存储器(DRAM)等，目前也可以暂时制造在体硅区域。另外，对于硅基光学器件如光波导、光扫描器、光开关等要制造在SOI衬底上就需要顶层硅的厚度至少在5μm以上本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种厚膜图形化SOI材料的制备方法，先采用SIMOX技术在体硅中注氧隔离形成薄膜图形化SOI材料，其特征在于然后利用CVD气相外延生长方法在衬底的表层形成单晶硅薄膜、锗硅薄膜或砷化镓薄膜中的一种。2.按权利要求1所述的厚膜图形化SOI材料的制备方法，其特征在于在外延的锗硅薄膜上继续外延生长单晶硅以形成应变硅的结构。3.按权利要求1所述的厚膜图形化SOI材料的制备方法，其特征在于CVD气相外延层的厚度为0.7～50μm。4.按权利要求1所述的厚膜图形化SOI材料的制备方法，其特征在于采用SIMOX技术在体硅中注氧隔离形成薄膜图形化SOI材料，具体工艺在于(1)在硅衬底上光刻阻挡离子注入的掩模，掩模为SiO2、Si3N4、多晶硅或金属薄膜中的一种，其厚度为200～800nm，以阻挡30～200keV的氧离子；(2)注入时，氧离子的能量为30～200keV，剂量为1.0×1017～2.0×1018cm-2，衬底温度为400～700℃；(3)高温退火的温度为1200～1375℃，退火时间为1～24小时，退火气氛为Ar或N2与O2的混合气体，其中O...

【专利技术属性】
技术研发人员：董业民，程新利，陈猛，王曦，张峰，
申请(专利权)人：上海新傲科技有限公司，
类型：发明
国别省市：