一种外延设备，包括反应室系统、设备排风系统以及真空控制系统；所述真空控制系统包括真空控制系统接口）、隔离阀、释放阀、真空发生装置、气压计、真空发生装置排气口和释放口；所述真空控制系统接口连接有隔离阀、气压计和释放阀；所述隔离阀的另一端连...

一种制作绝缘体上硅材料的隔离氧注入方法，包括如下步骤：提供单晶硅衬底；在单晶硅衬底中注入缺陷引入离子；在单晶硅衬底中注入氧离子；对注入缺陷引入离子和氧离子后的单晶硅衬底进行退火处理；所述注入缺陷引入离子的步骤在注入氧离子的步骤之前或者之...

一种多层外延层的生长设备，包括反应室、掺杂元素进口，还包括多个进气通路以及切换阀。本发明还提供了一种采用上述的设备进行多层外延层的生长方法。本发明的优点在于，采用多个气体通路，克服了稀释气体流量不可调节的问题，只需要操作切换阀既可以获得...

本发明涉及一种离子注入和键合工艺相结合制备绝缘体上的硅圆片的方法，特征在于先采用离子注入方法形成一腐蚀阻挡层，然后将器件片和支撑片键合在一起，并结合键合减薄的方法，减薄器件片反面到一定厚度，再把器件片中的离子注入层作为腐蚀的自停止层，利...

本发明提供了一种半导体衬底，包括器件层、位于器件层下方的绝缘层，还包括位于绝缘层下方的支撑衬底和位于支撑衬底中的剥离层。本发明还提供了半导体衬底的制备方法以及利用此半导体衬底的三维封装方法。本发明的优点在于：可以降低被减薄的衬底的厚度，...

一种厚膜图形化ＳＯＩ材料的制备方法，先采用ＳＩＭＯＸ技术在体硅中注氧隔离形成薄膜图形化ＳＯＩ材料，其特征在于然后利用ＣＶＤ气相外延生长方法在衬底的表层形成单晶硅薄膜、锗硅薄膜或砷化镓薄膜中的一种。

一种在ＳＯＩ衬底上氧化铪和氧化铝混合结构的栅介质材料的制备方法，包括含有埋氧层和顶层单晶硅的ＳＯＩ衬底材料的制备，其特征在于：　　　　（１）将制备的ＳＯＩ材料在超高真空室中ＮＨ↓［３］气氛下高温快速退火，以形成Ｓｉ↓［３］Ｎ↓［４］缓冲...

本发明涉及基于注氧隔离技术的绝缘体上锗硅材料及制备方法。特征在于以单晶锗硅薄膜取代传统的材料中的顶层单晶硅薄膜，形成以单晶锗硅薄膜为顶层半导体膜的更广义的新型衬底材料。制备方法是首先向单晶硅片中注入氧离子，然后在注氧硅片上生长Ｇｅ或Ｓｉ...

本发明公开了一种基于硅锗／硅结构注氧隔离制备绝缘体上硅锗材料的方法，依次包括二氧化硅保护层生长、离子注入、高温退火和去除二氧化硅层。其特征在于（１）注入前，在硅锗上生长二氧化硅层，层厚２０～１２０ｎｍ；（２）离子注入的能量范围是１５～８...

本发明公开了一种改进注氧隔离技术制备的绝缘体上的硅锗材料结构及工艺，在半导体衬底上依次是体硅锗层、注氧埋层和顶层硅锗，工艺依次包括离子注入、二氧化硅保护层生长、高温退火和二氧化硅去除。本发明利用锗在二氧化硅中扩散系数小的原理，在离子注入...

一种绝缘体上硅的制备工艺，包含如下步骤：在硅片上注入能与硅反应生成腐蚀阻挡材料的离子；将含有注入离子的硅片退火，并形成含有绝缘层、表面硅层、腐蚀阻挡层和衬底硅层的结构，其中绝缘层和衬底硅层位于硅片的外侧，表面硅层与绝缘层相邻，腐蚀阻挡层...

本发明提供了一种实现芯片空气桥互联的方法，包括如下步骤：提供第一半导体衬底；采用选择性腐蚀工艺去除第一介质材料；提供第二半导体衬底；将起泡离子注入第二半导体衬底中；对第二半导体衬底与第一半导体衬底进行键合；退火；除去介质层背面的残余部分...

一种绝缘体上的硅衬底的制备方，包括如下步骤：（ａ）提供单晶硅衬底；（ｂ）在单晶硅衬底表面生长掺杂单晶硅层；（ｃ）提供支撑衬底；（ｄ）将支撑衬底和单晶硅衬底键合在一起，形成键合后的衬底；（ｅ）对键合后的衬底进行第一次退火；（ｆ）腐蚀单晶硅...

本发明提出了一种降低硅光波导，或基于绝缘体上的硅材料光波导损耗的方法，其特征在于：首先通过氢气气氛中的高温烘烤，改善硅光波导或ＳＯＩ光波导的波导表面状况，显著抑止光在波导结构中传输时的散射损耗，实现光波导传输损耗的降低；然后再利用离子束...