有高介电常数的电介质和厚电极的电容器及其制造方法技术

提供一种有高介电常数的电介质和厚的下电极的电容器，使漏导电流减小。厚的下电极形成在层间绝缘层上。通常，层间绝缘层形成在半导体衬底上。下电极有顶面、底面和侧面，顶面与层间绝缘层相对。下电极顶面上形成与其接触的绝缘帽或覆盖层。绝缘帽或覆盖层覆盖下电极顶面，不覆盖下电极侧面。形成覆盖下电极和绝缘帽或覆盖层的电容器介质层。电容器介质层与绝缘帽或覆盖层和下电极的侧面接触。电容器介质层上形成与其接触的上电极。电容器介质层夹在上下电极之间以构成电容器结构。层间绝缘层的一部分的厚度比其余部分的厚度厚。（*该技术在2018年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
本明涉及在半导体衬底上形成的电容器，特别涉及具有高介电常数的电容器介质和一个厚电容器电极或多个电极的电容器，它最好用于GB(千兆位)级的动态随机存取存贮器(DRAM)中。
技术介绍
近年来，诸如DRAM的半导体集成电路(IC)的集成度变得越来越高，因此，IC中的电子元件变得越来越小型化。DRAM的每个存贮电容器为实现其信息存贮功能，要求它具有30fF的电容量，甚至当IC的集成规模变得很高时，存贮电容器的尺寸变得极小。为满足该要求，通常，已研究并开发了增大下电极厚度，以利用下电极的侧面，或减小电容器介质的厚度。作为IC用的电容器介质，通常采用介电常数为3至7的低介电常数的二氧化硅(SiO2)或氮化硅(Si3N4)。这两种材料的介电常数对GB级DRAM而言是不够的。因此，为满足GB级DRAM的要求，需要加大下电极厚度，使其厚度在5000埃以上，同时，减小电容器介质厚度，使其厚度为几个原子层厚。但是，增大下电极厚度和减小介质层厚度会出现以下问题。具体地说，如果下电极的厚度为5000埃以上，由于在曝光和干腐蚀工艺中存在的缺陷，使下电极的厚度和几何形状无法控制在所要求的精度范围内。而且，如本文档来自技高网...

【技术保护点】
电容器，包括：（ａ）在其中有导电接触栓的层间绝缘层上形成的扩散阻挡层；所述扩散阻挡层的底面与所述接触栓相接触；（ｂ）所述扩散阻挡层上形成的厚的下电极；所述下电极包括有顶面、底面和侧面的中心部分，和围绕所述中心 部分的壳部；所述中心部分的顶面和底面用所述壳部覆盖；所述中心部分的底面不用所述壳部覆盖，并与所述扩散阻挡层接触；所述下电极的所述壳部有凸面和圆形面；所述下电极的所述壳部有阻挡氧的扩散阻挡性能；（ｃ）形 成的电容器介质层，覆盖所述下电极与所述下电极的所...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】JP 1997-5-29 140384/971.电容器，包括(a)在其中有导电接触栓的层间绝缘层上形成的扩散阻挡层；所述扩散阻挡层的底面与所述接触栓相接触；(b)所述扩散阻挡层上形成的厚的下电极；所述下电极包括有顶面、底面和侧面的中心部分，和围绕所述中心部分的壳部；所述中心部分的顶面和底面用所述壳部覆盖；所述中心部分的底面不用所述壳部覆盖，并与所述扩散阻挡层接触；所述下电极的所述壳部有凸面和圆形面；所述下电极的所述壳部有阻挡氧的扩散阻挡性能；(c)形成的电容器介质层，覆盖所述下电极与所述下电极的所述壳部的凸面和圆形表面接触；所述电容器介质层与所述下电极的所述壳部的所述圆形表面接触；(d)所述电容器介质层上形成的与其相接触的上电极；其中，所述电容器介质层夹在所述上下电极之间，由此构成电容器结构。2.按权利要求1的电容器，其中，所述下电极的所述中心部分完全被所述壳部覆盖。3.按权利要求1的电容器，其中，所述下电极的所述中心部分部分地被所述其壳部覆盖，所述中心部分的所述顶面不被壳部覆盖。4.按权利要求1的电容器，其中，在所述层间绝缘层上形成的扩散阻挡层有阻挡硅的扩散阻挡性能。5.一种电容器的制造方法，包括以下步骤(a)制备其中有导电接触栓的层间绝...

【专利技术属性】
技术研发人员：山口弘，
申请(专利权)人：恩益禧电子股份有限公司，
类型：发明
国别省市：JP[日本]