一种高介电常数X8R型电容器陶瓷材料及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种高介电常数X8R型电容器陶瓷材料，它由基质组分和掺杂组分组成，基质组分的化学分子式为aBaTiO3-bNa0.5Bi0.5TiO3，掺杂组分的化学分子式为cYb2O3-dMgO，所述高介电常数X8R型电容器陶瓷材料的化学表达式为aBaTiO3-bNa0.5Bi0.5TiO3-cYb2O3-dMgO，a=0.88~0.92，b=0.08~0.12，c=0.01~0.015，d=0.004~0.012。本发明专利技术所得X8R型电容器陶瓷材料符合X8R型多层陶瓷电容器的宽工作温度范围，温度稳定性好，介电常数高且环境友好。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于电子元器件的陶瓷材料技术，具体涉及一种高介电常数X8R型电容器陶瓷材料及其制备方法。
技术介绍
多层陶瓷电容器(MLCC)是当今电子系统中一类重要电子元器件，主要用于各类电子产品中的振荡、耦合、滤波等电路。并且在航空航天电子设备、坦克电子设备等军用电子设备上也有着越来越广泛的用途。目前广泛应用的MLCC电介质陶瓷研究体系主要包括3类，即铅基复合钙钛矿体系、钨青铜结构体系、钛酸钡体系，其中X7R电容器以钛酸钡体系为主。但BaTiO3居里温度偏低(125°C左右)，因此在高于125°C的条件下很难满足容温变化率(AC/C彡±15%)的要求。而航空航天、汽车工业、军用移动通讯等特殊领域要求MLCC 的工作温度上限在150°C以上。因此必须通过掺杂、工艺优化、微观结构控制等方式改善BaTiO3的介温特性，以获得更理想的电容温度稳定性。当前，国内外对BaTiO3基MLCC介质陶瓷展开大量研究，其中满足X7R条件的BaTiO3-Nb2O5-CO3O4瓷料已经成功用于Pd或Ag3tl-PcU电极MLCC的商业化生产H. Chazonoand H. Kishi, "Sintering本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种高介电常数X8R型电容器陶瓷材料，其特征在于它由基质组分和掺杂组分组成，基质组分的化学分子式为aBaTiO3?bNa0.5Bi0.5TiO3，掺杂组分的化学分子式为cYb2O3?dMgO，所述高介电常数X8R型电容器陶瓷材料的化学表达式为aBaTiO3?bNa0.5Bi0.5TiO3?cYb2O3?dMgO，a=0.88~0.92，b=0.08~0.12，c=0.01~0.015,?d=0.004~0.012。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：刘韩星，归冬云，孙玥，郝华，曹明贺，余志勇，郭丽玲，尧中华，黄雪琛，
申请(专利权)人：武汉理工大学，
类型：发明
国别省市：