【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种，具体而言，涉及一种，该方法通过在作为多孔膜的中间层绝缘膜表面上的孔被掩埋后形成该阻挡金属，藉此能够防止在后续工艺中将导电材料引入至底层中。
技术介绍
随着半导体装置中集成程度不断提高，使得介于金属线之间的距离变窄。因此，由于介于金属线之间的寄生电容增加，因而产生装置速度降低的问题。为了解决这个问题，需要使用具有低电阻且良好导电能力的铜(Cu)等等作为金属线材料，以取代目前使用的铝或钨。需要使用低介电常数的膜作为绝缘膜，以取代现有介电常数为4的氧化物膜。该低介电常数膜包括有机聚合物膜、无机SiOC膜及具有多孔性的多孔膜。在这些膜中，该有机聚合物膜及该无机SiOC膜的介电常数均为大约2.7，在低介电常数膜中它们的介电常数相对较高。该多孔膜可通过控制膜中的孔的比例来改善低介电常数特性。制成该多孔材料的方法为，在固化处于溶胶状态的或在作为前体的四乙基原硅酸盐(TEOS)颗粒之间存在弱耦合的前体过程中，在膜内形成小尺寸气泡，以及使溶剂急剧挥发以使多孔结构维持原状。在此工艺中，该多孔材料内的氧化硅网孔总数及孔的结构会随着溶剂的干燥方法而改变。如果通过例...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种在半导体装置中形成阻挡金属的方法，包括以下步骤a)在底层上图案化多孔膜以形成通孔；b)使用CVD TiN膜来掩埋所述通孔的侧壁的孔；以及c)在包括所述通孔的整个结构上形成阻挡金属。2.如权利要求1所述的方法，其中步骤b)包括以下步骤在包括所述通孔的整个结构上沉积CVD TiN；使用N2+H2实施等离子体处理工艺；以及重复实施该沉积工艺和该等离子体处理工艺，以便使用CVD TiN只掩埋在该多孔膜表面上形成的孔；以及3.如权利要求2所述的方法，其中所述CVD TiN膜形成10至20的厚度。4.一种在半导体装置中形成阻挡金属的方法，包括以下步骤a...
【专利技术属性】
技术研发人员：高昌辰，
申请(专利权)人：海力士半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：
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