半导体装置及其制造方法制造方法及图纸

一种半导体装置，其特征在于，具有：　　　　在半导体芯片上形成的焊盘电极；　　　　粘接在所述半导体芯片的表面上的支承衬底；　　　　在从所述半导体芯片的背面直到所述焊盘电极表面的通孔中埋填并与所述焊盘电极相连接的柱状端子；　　　　连接所述柱状端子的补片电极。（*该技术在2023年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及配列了多个球状导电端子的BGA(Ball Grid Array)型半导体装置。
技术介绍
近年来，作为三维安装技术，而且作为新的封装技术，CSP(Chip SizePackage)引人关注。CSP被称作具有与半导体芯片的外形尺寸大约相同大小的外形尺寸的小型封装。目前，作为CSP的一种，已知的为BGA型的半导体装置。该BGA型的半导体装置是在封装的一个主面上格状地配置多个由焊锡等金属材料构成的球状导电端子，并使其与在封装的其它面上搭载的半导体芯片电连接的装置。于是，在将该BGA型半导体装置组装在电子设备上时，通过在印刷线路板上的配线图形上压装各导电端子，而电连接半导体芯片和印刷线路板上搭载的外部电路。这样的BGA型半导体装置，与在侧部具有突出的引脚的SOP(SmallOutline Package)和QFP(Quad Flat Package)等其它的CSP型半导体装置相比，能够设置多个导电端子，并且具有能够小型化的优点。此BGA型半导体装置具有例如作为在手机中搭载的数字照相机的图像传感器芯片的用途。图30是现有的BGA型的半导体装置的概略结构图。图30(A)是此BG本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，具有在半导体芯片上形成的焊盘电极；粘接在所述半导体芯片的表面上的支承衬底；在从所述半导体芯片的背面直到所述焊盘电极表面的通孔中埋填并与所述焊盘电极相连接的柱状端子；连接所述柱状端子的补片电极。2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，具有从所述柱状端子延长到所述半导体芯片的背面、并连接所述柱状端子和所述补片电极的重新配线层。3.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于对应于所述补片电极的形成位置在所述半导体芯片的背面设置缓冲部件。4.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于所述通孔的剖面是圆锥形。5.如权利要求2所述的半导体装置，其特征在于将使得所述柱状端子和所述半导体芯片之间绝缘的绝缘层设置在所述通孔的侧壁。6.一种半导体装置，其特征在于，具有在半导体芯片上形成的焊盘电极；粘接在所述半导体芯片的表面上的第一支承衬底；粘接在所述半导体芯片的背面的第二支承衬底；在从所述第二支承衬底的表面贯通所述半导体芯片到达所述焊盘电极的表面的通孔中埋填、并与所述焊盘电极相连接的柱状端子；与所述柱状端子相连接的补片电极。7.如权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，具有从所述柱状端子延长到所述第二支承衬底的表面、并连接所述柱状端子和所述补片电极的重新配线层。8.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于对应所述补片电极的形成位置，在所述第二支承衬底的表面设置缓冲部件。9.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于所述通孔的剖面是圆锥形。10.如权利要求7所述的半导体装置，其特征在于将使得在所述柱状端子和所述半导体芯片之间绝缘的绝缘层设置在所述通孔的侧壁。11.一种半导体装置，其特征在于，具有在半导体芯片上形成的焊盘电极；覆盖所述焊盘电极的表面和所述半导体芯片的侧面的树脂层；粘接在所述半导体芯片的背面的支承衬底；在从所述支承衬底的表面到达所述焊盘电极表面的通孔中埋填、并与所述焊盘电极相连接的柱状端子；连接所述柱状端子的补片电极。12.如权利要求11所述的半导体装置，其特征在于，具有从所述柱状端子延长到所述支承衬底的表面、并连接所述柱状端子和所述补片电极的重新配线层。13.如权利要求12所述的半导体装置，其特征在于所述通孔的剖面是圆锥形。14.一种半导体装置，其特征在于，具有在半导体芯片上形成的焊盘电极；粘接在所述半导体芯片的表面的第一支承衬底；覆盖所述焊盘电极的表面和所述半导体芯片的侧面的树脂层；粘接在所述半导体芯片的背面的第二支承衬底；在从所述第二支承衬底的表面到达所述焊盘电极表面的通孔中埋填、并与所述焊盘电极相连接的柱状端子；与所述柱状端子相连接的补片电极。15.如权利要求14所述的半导体装置，其特征在于，具有从所述柱状端子延长到所述第二支承衬底的表面、并连接所述柱状端子和所述补片电极的重新配线层。16.如权利要求15所述的半导体装置，其特征在于对应所述补片电极的形成位置，在所述第二支承衬底的表面设置缓冲部件。17.如权利要求15所述的半导体装置，其特征在于所述通孔的剖面是圆锥形。18.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有在形成有焊盘电极的半导体衬底上粘接支承衬底的工序；形成从所述半导体衬底的背面到所述焊盘电极的表面的通孔的工序；在所述通孔内形成与所述焊盘电极电连接的柱状端子的工序；将所述半导体衬底分割为多个半导体芯片的工序。19.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有在形成有焊盘电极的半导体衬底上粘接支承衬底的工序；形成从所述半导体衬底的背面到达所述焊盘电极的表面的通孔的工序；在所述通孔内形成与所述焊盘电极电连接的柱状端子，同时，形成从该柱状端子延长到所述半导体衬底的背面重新配线层的工序；在所述重新配线层上形成补片电极的工序；将所述半导体衬底分割为多个半导体芯片的工序。20.如权利要求19所述的半导体装置的制造方法，其特征在于在所述通孔内形成与所述焊盘电极电连接的柱状端子，同时，形成从所述柱状端子延长到所述半导体衬底的背面的重新配线层的工序是通过电解镀敷法进行的。21.如权利要求20所述的半导体制造方法，其特征在于将所述通孔加工为圆锥形。22.如权利要求19所述的半导体装置的制造方法，其特征在于通过电解镀敷法进行在所述通孔内形成与所述焊盘电极电连接的柱状端子的工序，通过喷溅法进行形成从所述柱状端子延长到所述半导体衬底的背面的重新配线层的工序。23.如权利要求22所述的半导体装置的制造方法，其特征在于将所述通孔加工为圆锥形。24.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有在形成有焊盘电极的半导...

【专利技术属性】
技术研发人员：高尾幸弘，
申请(专利权)人：三洋电机株式会社，
类型：发明
国别省市：